BARC工艺简介.ppt

简介 BARC ( Bottom Anti-Reflective Coatings ) 意为底部抗反射涂层，是在光刻涂胶前先淀积一层有机或无机抗反射物质，以达到增大光刻工艺窗口、提高光刻条宽控制的目的（图1） 。 目前，CSMC-HJ使用的是Dry Etch Patterning ARC – XHRi，一种i-Line Organic ARC。 优点 折射率重复性好，与平坦化工艺兼容（图2） ，易于返工，膜厚容易控制 有效降低SWING RATIO （图3） 增大光刻工艺窗口（图4） 使片内CD均匀性变好 减少衬底和台阶所带来的CD偏差 原理 在光刻工艺中 ，一个BLOCK内的条宽均匀性会受到衬底反射率不均匀和台阶上下光刻胶膜厚不同的影响。随着特征尺寸的减小，高反射层引起的条宽不均匀和光刻胶凹坑，以及光线在胶膜中因固态微粒产生散射而产生的侧向光化学反应变得越来越不能接受，为减小这些影响，就需引入抗反射涂层。 Normal process BARC Process 原理（续） 光在媒质中传播的过程实质为平面波在各向同性、吸收媒质中传播的过程，可用复折射率N 描述，其表达式为 N = n – i k n = Re (N )； k = - Im(N ) = 沿正Z轴方向行进的平面波的振幅沿着传播方向以2πk/λ奈培/米的速率指数衰减 （光路图1）。 由于ARC的消光系数k 较大，光波衰减迅速，入射到ARC层的光在到达下一个界面前就被吸收掉，或在到达光刻胶前被吸收 ，以防止下一个界面光被再次反射与折射（光路图2）。 原理（续） 一种衬底，对于给定的BARC膜厚有以下经验公式 这样，波动率Srel 可表示为 BARC膜厚VS反射率曲线如图5 同理，可以针对多种衬底薄膜计算出不同的Srel 。 BARC工艺过程介绍 BARC使用简单，仅比通常的光刻工艺多一步BARC涂布。可利用光刻现有涂胶设备，在衬底表面直接涂布一层BARC，之后涂胶即可。 现在使用的i-Line ARC（XHRi）光刻后BARC层仍留在圆片表面，由刻蚀来腐蚀及去除。 BARC工艺简明流程 BARC工艺开发中遇到的主要问题 Coating Defects Footing（图6） CD Gain CD Measure 影响CD gain的主要因素 光刻胶形貌（图6） 1. BARC Thickness 2. Change BARC 3. Development 4. Resist BARC刻蚀条件 1. Gas Ratio 2. OE. 3. Pressure 4. Power BARC工艺开发近况 基本上完成了光刻与刻蚀工艺菜单的开发 CD gain基本控制在0.02um以内 光刻控制条宽中心值，较刻蚀后条宽中心值小0.02um，以补偿刻蚀CD gain引起的条宽增益 BARC工艺简明流程 ARC Coating/Bake Resist Coating/Bake Exposure Development ARC Etch Substrate Etch Resist/BARC Strip 工艺窗口 FOOTING对CD GAIN的影响 * * ??? ? 4 完 BARC（XHRi）对台阶的平坦化具有较好的效果 返回 Resist XHRi POLY FOX Swing ratio由未加BARC前的20％下降到现在的10％左右，膜厚波动对条宽影响的幅度明显下降。 返回 Exposure Energy Reflective Notching Resist Standing Wave Normal Process Light Scattering And Reflective Notching 返回 返回 n0 空气 n1 光刻胶 n2 ARC n3 衬底 入射光 S R R e d b t ? ? ? 4 ? 经验公式： Rb: 衬底与胶界面反射率 Rt: 胶与空气的界面反射率 ?: 光刻胶吸光率 BARC Process Exposure Energy Resist ARC 返回 Reflectivity of Bottom Coats Into Air For Different Refractive Indices 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 畗 Reflectivity Vs. Silicon n = 1.9 1.8 1.7 1.653 1.6 1.5 k