P5000设备问题总结.ppt

P5K OXIDE设备 EOP5K刻蚀基本原理 刻蚀基本原理介绍? P5000 OXIDE采用多腔体单片式作业，主要刻蚀OXIDE，靠外加的RF使工艺气体产生PLASMA 然后在MAGNET作用下来和园片表面反应，达到腐蚀的目的。 1）? EOP5K-OXIDE主要刻蚀OXIDE 其中包括SPACER 腐蚀 LPTEOS 4000A、LPSIN 300A CAP 腐蚀 PETEOS 5500A、PESIN 3000A PLAN 腐蚀 TEOS 18K VIA 腐蚀 TEOS 18K WINDOW ANISO 腐蚀 BPTEOS7500 ?2）? EOP5K-OXIDE刻蚀气体：CHF3、CF4、O2、SF6，AR 由含F的工艺气体提供F基 SiO2+4F* SiF4 +O2 生成物都是挥发性的气体，保证可以通过泵抽走，不残留在腔壁上 ? 传输报警 漏率超规范 分析原因：1）门阀太脏，O-RING变形破坏。 2）管接头松动漏气。 3）阀芯太脏或阀芯漏气。 4）He气体管道漏气。 5）腔体漏气。 6）LINER 表面损伤。 处理方法：1）清洗门阀以及O-RING，如有必要更换O-RING。 2）检查管接头是否松动，紧固接头。 3）检查阀，清洗阀芯，如有必要更换阀。 4）检查管道是否漏气，如有必要更换它。 5）拆腔体，将一些需更换的部件更换。 6）ESC 与PEDESTAL 间的O-RING 需要更换。 真正原因： WAFER LIFT 的BELLOWS 漏气。 氦漏报警 报警内容：1.ch x electrostatic chuck detected helium . 2.chamber x wafer cooling helium leak rate is too high. 处理方法： 第一步: 用光笔点Chamber X→Command→Resume Processing 如果在执行了几遍后，问题仍然存在，则: 第二步: 检查圆片： 1 把系统状态改为手动：用光笔点Wafers→Stop Button 再用光笔System→ControlSystem→Automatically→Manual 2 手动把片子传出：. 用光笔点Monitor Wafers→腔体中的片子→ Source for move→片盒中任意空的slot→Destination for move 3.检查硅片的背面是否有颗粒，如果有,则大半是片子的问题。如果没有，那么再运行几片干净的假片。还出现报警的话，就可能是腔体的问题. 第三步: 开腔体进行清洗： 点击Service→Vacuum Service→Online for process→offline for maintenance→Start chamber vent 待腔体充至大气后，用工具拆开腔体进行检查和清洗，QC通过后继续流片。 HE 流量报警 现象： HE 流量太小 分析原因： 1.HE MFC FAULT 2.HE 供气压 太小 3.HE 旁路针阀调节不好 4.HE 旁通管堵塞 真正原因: HE 旁通管堵塞,疏通管道后设备恢复正常. 颗粒超标 原因分析：1，QC片不好