源电压小于阈值电压时漏电流不为零.pptVIP

5.5.1 辐射引入的氧化层电荷 当空穴到达硅－二氧化硅界面时，其中的一部分被陷阱俘获，另一部分流入硅中。由于这些被俘获的空穴，辐射引入的净正电荷位于氧化层的陷阱内。这些被俘获的电荷很长时间地存在陷阱中，可以长达数月或数年之久。正如我们所看到的，正氧化层电荷会引起阈值电压向负方向偏移。 空穴陷阱密度在1012到1013cm－2范围内，依赖于氧化层和器件的工艺。通常，这些陷阱存在于Si-SiO2界面附近大约50A的区域。空穴陷阱通常和硅缺陷有关，这些硅缺陷在SiO2结构中存在氧空位。氧空位存在于Si-SiO2界面附近的“多硅”区域。 由于阈值电压或平带电压的偏移是陷阱电荷数量的函数，电压偏移是氧化层所加电压的函数。 5.5.2 辐射引入的界面态 我们已经讨论了界面态对MOS电容器C－V特性以及对MOSFET特性的影响。n沟MOS器件界面态中的净电荷在达到阈值反型点时是负的。这些负电荷会使阈值电压向正的方向偏移，这同由于正氧化层电荷导致的偏移方向相反。另外，由于界面态可以被充电，会和反型电荷有一定的库仑作用，这意味着反型载流子迁移率是界面态密度的函数。因此，界面态对阈值电压和载流子迁移率都有影响。 当MOS器件被离化辐射后，在Si-SiO2界面处产生附加的界面态。辐射引入的界面态在禁带的下半部分表现为施主态，在上半部分表现为受主态。 5.5.2 辐射引入的界面态 我们