Ch.04集成电路制造工艺_3.ppt

微电子学概论 唐 军 0351-3920397 tangjun@nuc.edu.cn 第一章 绪论 第二章 半导体物理和半导体器件物理基础 第三章 大规模集成电路基础 第四章 集成电路制造工艺 第五章 集成电路设计 第六章 集成电路设计的CAD系统 第七章 几类重要的特种微电子器件 第八章 微机电系统 第九章 微电子技术发展的规律和趋势 4.1 化学气相沉积 4.2 氧化 4.3 物理气相沉积 4.4 光刻 4.5 刻蚀 4.6 扩散和离子注入 4.7 接触与互连 4.8 隔离技术 4.9 封装技术 4.10 MOS集成电路工艺流程 杂质掺杂 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺：扩散、离子注入 在较高温度下，杂质能够克服阻力进入半导体，并在其中运动； 适用于结较深、线条较粗的结构或器件 扩 散 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： 扩散温度较低 Na、K、Fe、Cu、Au 等元素（semiconductor killer） 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 两个步骤： 在恒定表面浓度条件下的预淀积； 在杂质总量不变的情况下的再分布 固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等； 杂质不同，扩散系统也有所差别； 由气体（氮气）搭载杂质源蒸汽进入； 高温下杂质化合物与硅发生反应 利用液态源进行扩散的装置示意图 离子注入 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定 掺杂纯度高； 掺杂的均匀性好； 温度低：小于600℃； 可以精确控制杂质分布； 可以注入各种各样的元素； 横向扩展比扩散要小得多； 可以对化合物半导体进行掺杂 退 火 退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用 消除损伤 退火方式： 炉退火：高温，时间较长； 快速退火：瞬时高温，时间短 脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 通过接触孔或者互连材料将各个独立的器件连接起来，实现集成电路的功能。 集成电路设计要求互连线尽可能短； 互连线彼此不能交叉； 随着集成规模提高，连线越来越复杂； 需要引入多层金属互连技术，提高集成度，减小传统多晶硅互连的缺陷。 PN结隔离 等平面氧化层隔离 沟槽隔离 介质隔离 ⑴标准场氧化隔离 ⑵局域氧化隔离 首先在硅片上热生长一层薄氧化层，并CVD淀积一层氮化硅； 之后进行光刻，以光刻胶作为掩蔽层刻蚀场区的氮化硅、氧化硅层（等平面工艺中，还要增加一步刻蚀硅的工艺，刻蚀掉硅的厚度等于场氧化层厚度的0.56倍，以保证场氧化之后的氧化层表面与原来的硅表面持平）； 并通过离子注入进行场区掺杂； 去胶以后利用氮化硅作为掩蔽层进行场区氧化； 最后再去掉氮化硅，便完成了隔离工艺。 ⑶开槽回填隔离 （Trench Etch and Refill Isolation） 首先在硅片上热生长一层薄氧化层，并CVD淀积一层氮化硅； 之后进行光刻，定义出隔离槽的位置，在使用RIE得出较深的隔离槽； 侧壁上热氧化； CVD沉积多晶硅或氧化硅填充形成隔离墙。 4.9 封装技术 第四章 集成电路制造工艺 基本电路结构：CMOS 截面图 电路原理图 4.6 扩散与离子注入 控制半导体中的杂质分布 扩散: Diffusion 离子注入:Ion Implantation 将具有很高能量的带电离子杂质射入半导体衬底中的掺杂技术； 适用于浅结与细线条图形 纵向扩散与横向扩散； 横向扩撒的宽度为纵向扩散深度的0.8倍； 4个角都为球面（会引起电场集中，应避免） 气态源进行扩散 采用气态杂质源 需要稀释气体进行控制 多为杂质的氢化物或者卤化物 离子注入系统的原理示意图 离子注入到无定形靶中的高斯分布情况 高能离子不断与衬底中的原子核和核外电子碰撞，能量逐步损失，最后停下来； 每个离子停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，没有电活性； 碰撞也会使一些原子核离开原来的晶格位置，造成损伤（晶格缺陷） 4.7 接触与互连 Al：制作工艺简单，工艺兼容性好，容易制作成电阻率较低的欧姆接触；但是电子迁移现象等缺陷； Cu：电阻率更低（相对于A