耗尽型参数⑷直流输入电阻RGS.PPT

* 五、MOSFET的主要参数 1.直流参数 NMOS增强型 ⑴ 开启电压VT （增强型参数） ⑵ 夹断电压VP （耗尽型参数） ⑶ 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） ⑷ 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 2.交流参数 ⑴ 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ ⑵ 低频互导gm 考虑到 则 其中 3.极限参数 ⑴ 最大漏极电流IDM ⑵ 最大耗散功率PDM ⑶ 最大漏源电压V（BR）DS ⑷ 最大栅源电压V（BR）GS 5.2 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 ⑴简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 ⑴简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， ⑵带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） 2. 图解分析 由于负