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Semiconductor Modern Theory 1、原子的能级和晶体的能带 制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。 单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而成，相邻原子间距只有几个埃的量级。 1埃(?) = 10-10米(m) 晶体的结合形式 一般的晶体结合，可以概括为离子性结合，共价结合，金属性结合和分子结合（范得瓦尔斯结合）四种不同的基本形式。 半导体材料主要靠的是共价键结合。 共价键的特点： 饱和性：一个原子只能形成一定数目的共价键； 方向性：原子只能在特定方向上形成共价键； 电子的共有化运动 当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。 电子只能在相似壳层间转移； 最外层电子的共有化运动最显著； 当两个原子相距很远时，如同两个孤立的原子，每个能级是二度简并的。当两个原子互相靠近时，每个原子中的电子除了受到本身原子势场的作用，还要受到另一个原子势场的作用，其结果是每一个二度简并的能级都分裂为二个彼此相距很近的能级，两个原子靠得越近，分裂得越厉害。 当N个原子互相靠近形成晶体后，每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带，这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中作共有化运动。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带。 金属、绝缘体与半导体 所有固体中均含有大量的电子，但其导电性却相差很大。量子力学与固体能带论的发展，使人们认识到固体导电性可根据电子填充能带的情况来说明。 固体能够导电，是固体中电子在外电场作用下作定向运动的结果。由于电场力对电子的加速作用，使电子的运动速度和能量都发生了变化。也就是说，电子与外电场间发生了能量交换。 从能带论的观点来看，电子能量的变化，就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去。 对于所有能级均被电子所占满的能带（满带），在外电场作用下，其电子并不形成电流，对导电没有贡献。- ----- 满带电子不导电。 通常原子中的内层电子都是占满满带中的能级，因而内层电子对导电没有贡献。 对于被电子部分占满的能带（导带），在外电场作用下，电子可从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，从而形成电流，起导电作用。 ----- 导带电子有导电能力。 绝缘体(a)和半导体(b)的能带结构基本上是相似的，在价电子基本占满的价带和基本上全空的导带之间隔有禁带。 唯一有区别的是，半导体的禁带宽度较窄，约为1eV左右，因而在室温下，价带中不少电子可以被激发到导带中形成导电电子并在价带中留下导电空穴。故此，原先的空带和满带都变成了部分占满的能带，在外电场作用下，导带的电子和价带的空穴都能够起导电作用。这是半导体与金属导体的最大差别。而绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下，能激发到导带的电子很少，所以导电性很差。 价带电子的总电流，就如同一个带正电荷的粒子运动时所产生的电流。因此，通常把价带中空着的状态看成是带正电的粒子，称为空穴。引入这样一个假想的粒子----空穴后，便可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴表达出来。 半导体中除了导带上电子的导电作用外，还有价带上空穴的导电作用。 Si的晶格常数是0.54nm，密度为2.33x10-3 kg/cm3; Si在室温下的禁带宽度为1.12eV； Si熔点是1420oC； Si的折射率是3.4(5μm); 半导体是一种具有特殊导电性能的功能材料，其电阻率介于10-4到1010欧姆?厘米之间，介于金属导体和绝缘体之间。半导体的导电性质可以随着材料的纯度、温度及其它外界条件（如光照）的不同而变化。 所谓本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体。在绝对零度时，价带中所有量子态都被电子占据，而导带中所有量子态都是空的。当温度大于零度时，就会有电子从价带由于本征激发跃迁至导带，同时在价带中产生空穴。由于电子和空穴是成对产生的，导带中电子的浓度n0应等于价带中空穴的浓度p0，即有：n0=p0. 在实际应用的半导体材料晶格中，总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。包括存在各种杂质和缺陷。实践表明：半导体的导电性可以通过掺入适量的杂质来控制，这是半导体能够制成各种器件的重要原因。 例如对本征半导体硅（Si）掺入百万分之一的杂质，其电阻率就会从105欧姆?厘米下降到只有几个欧姆?厘米。 在正电中心周围的那个多余的价电子受到的束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很少的能量就可以使它挣脱束缚成为导电电子在晶格中自由运动。这时，磷原子就成为少了一个价电子的磷离子(P+)，它是一个不可移动