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半导体制造-刻蚀工艺介绍 摘要:自从半导体诞生以来，其很大程度上改变了人类的生产和生活。半导体除了在计算机领域应用之外，还广泛地应用于通信、网络、自动遥控及国防科技领域。此外，在运输（如汽车、轮船、飞机）以及宇航上的应用和作用也日益显著。本文主要介绍半导体制造工艺中的刻蚀工艺。刻蚀就是将光刻胶没有覆盖或保护的部分，以化学反应或物理作用加以去除，以完成将图形转移到硅片表面的目的。随着半导体制造大规模集成电路技术的发展，图形加工线条越来越细，硅片尺寸越来越大，对刻蚀工艺的要求也越来高。应此，学习了解刻蚀工艺的十分必要。 关键词：半导体 、 刻蚀 、 硅片 Semiconductor Manufacturing-Etching Process Introduced Abstract:Since the inception of the semiconductor, which greatly changed the production of human life. In addition to semiconductor applications in the computer field, but also widely used in communications, networking, automatic remote control and national defense science and technology. In addition, in the transport (such as cars, boats, aircraft), and aerospace applications and on the increasingly significant role. This paper describes the etching process of semiconductor manufacturing process. Etching the photoresist is not covered or protected part of the chemical reactions or physical effects to be removed to complete the pattern transfer to the silicon surface of the goal. As the semiconductor manufacturing large scale integrated circuit technology, more and more detailed graphics processing lines, wafer size increases, the demands on the etching process increasingly high. In response to this, learning is necessary to understand the etching process. Key Words: Semiconductor、Etching、Wafers 1-1）和图（1-2）给出一个简单工艺制造流程，这些流程包括氧化、光刻、刻蚀、离子注入和金属化。 图1-1：(a) n型硅晶片原材料；（b）通过干或湿氧化后的硅片； （c）涂敷光刻胶；（d）光刻胶通过掩模板曝光 1.1氧化 一般来说，SiO2的作用是作为大部分器件结构中绝缘体，或在器件制造过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。在p-n结（图1-1）中，SiO2薄膜可用来界定区域。 氧化的方法有两种：湿法氧化和干法氧化。湿法氧化的氧化剂是使用氧和水蒸气的混合物。湿氧氧化具有较高氧化速率，可用于生长厚的氧化层。干氧氧化可获得特性良好的Si-SiO2界面，所以通常用来生长器件的氧化物薄膜层。图1-1（a）显示一硅晶片原材料准备进行氧化处理。经过氧化工艺处理后，就会在晶片的整个表面形成一层SiO2。为简化讨论，图1-1（b）只显示硅片表面的氧化层。 1.2光刻和刻蚀 光刻技术被用于界定p-n结的几何形状。形成SiO2层以后。在晶片表面使用高速旋转机旋涂一层对紫外线敏感的光敏材料薄层，这种光敏材料被称为光刻胶。之后将晶片放在温度为80~100℃的环境下烘焙，目的是去除光刻胶中的溶剂，提高光刻胶黏附力。 下一步骤使用紫外线光源，通过具有某种图案的掩模板对涂有光刻胶晶片进行曝光。根据光刻胶的类型，在晶片表面光刻胶涂层的曝光区域将发生相应的化学反应，曝光在光线下的光刻胶涂层将发生聚合反应而难以被刻蚀。聚合物区域在晶片放进显影液后依然存在，而被曝光的区域（在不透光的掩模板区域下）会溶解并清洗掉，如图1-1（d