第一章pn结[最新].pptVIP

第一章 p-n结; 第一章 p—n结;§ 1.1 p—n结的形成及平衡状态 1、p-n结的形成与杂质分布 2、p-n结空间电荷区 3、p-n结的能带图 4、平衡p-n结势垒区电场 5、平衡p-n结势垒高度 6、平衡p-n结的载流子浓度分布; 半导体二极管的结构类型;(c)平面型二极管的结构示意图;实际的p-n结结构;p-n结的形成过程; 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。P型半导体和N型半导体结合面以及离子薄层形成的空间电荷区称为p-n结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 ; 制作p-n结的方法主要有合金法、扩散法、离子注入法及外延法。 由于获得p-n结的手段不同，其内部杂质分布也各不相同。 用合金法制得的p-n结，在p型区和n型区内部的杂质分布均匀，而在交界面处杂质类型突变，故合金结又可称为突变结。若其中一侧的杂质浓度比另一侧杂质浓度高两个数量级以上，又称之为单边突变结。 用扩散法制得的p-n结，扩散杂质浓度由表面向内部沿扩散方向逐渐减小，在结附近杂质浓度是渐变的，故称其为缓变结。若结附近杂质浓度作线性变化，其杂质浓度梯度是常数，称作线性缓变结。 在冶金结处，净杂质浓度为零。 ;盟乓绥逛柳箭枫歇酸稍萌茄蔫酿由哲绑括颊育梯缠滞缸镁痊甄咬遥傍古选第一章pn结第一章pn结;P;3. 平衡p-n结的能带