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1.3.2 光敏电阻的特性 1．光电特性 光电流与照度的关系称为光电特性 Ip=SgEγUa 第62页/共91页 光电特性 : Ip=SgEγUa Ip——光电流，即光敏电阻两端加上一定电压后，亮电 流I与暗电流Id之差； E——光照度； γ——光照指数，它与材料和入射光强弱有关，对于 CdS、PbS等，在弱光照下γ=1，在强光照射下γ=1/2，一般γ=0.5~1； U ——光敏电阻两端所加的电压； a——电压指数，它与光电导体和电极材料之间的接触有关，欧姆接触时a=1，非欧姆接触a=1.1~1.2； Sg——光电导灵敏度。 第63页/共91页 如a=1，在弱光照下γ=1： Ip=SgEU 在弱光照下，Ip与E具有良好的线性，在强光照射下则为非线性，其它光敏电阻也有类似的性质。因此光敏电阻在强光时线性特性变差。 光电特性 : Ip=SgEγUa 第64页/共91页 2．光电阻的光电导灵敏度 欧姆接触时，a=1 Ip=GpU Gp——光电导值，此式即欧姆定律。 Gp=Sg·Eγ 线性系数γ值代表亮阻与光照之间呈非线性，γ值是光敏电阻器的一个重要参考数据， Ip=SgEγUa 第65页/共91页 响应量光电导与输入量之比，所以Sg为光电导灵敏度。 如γ=1， （1-134） 单位为西门子/勒克斯（s/lx）。 对于光敏电阻来说，电流有暗电流Id，亮电流I与光电流Ip ，电导也有暗电导Gd，亮电导G和光电导Gp之分，即 I=Ip+Id ，G=Gp+Gd。 所以亮电流I： I=(SgE+Gd)U 第66页/共91页 3．伏安特性 两个明显的特点 一:在额定功率范围内（如50mW）光电流与所加电压成线性，即电流正比于所施加外电压。 二:当光敏电阻器上承受的功率超过它本身的额定功率后，曲线开始变弯，趋向饱和，电流并未继续增大，即大部分光生载流子已参与为光电流。 第67页/共91页 4．温度特性 亮电阻的温度系数 第68页/共91页 5．频率特性 光敏电阻频率特性 1-硒 2-硫化硒 3-硫化铊 4-硫化铅 光敏电阻采用交变光照时，其输出随入射光频率的增加而减少，这是因为光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的，非平衡载流子的产生与复合都有一个时间过程，这个时间过程即在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应。 光敏电阻频带宽度都比较窄，在室温下，一般不超过几千赫兹， 第69页/共91页 6．光谱响应特性 光敏电阻的光谱响应特性主要由所用的半导体材料所决定。光敏电阻可用于与人眼有关的仪器，如照相机、照度计、光度计等，它们的光谱响应曲线形状与人眼的光谱光视效能V（λ）曲线还不完全一致，在使用时，必须加滤光片加以修正。 第70页/共91页 第71页/共91页 第72页/共91页 硫化铅光谱响应曲线 第73页/共91页 温度对光谱响应影响较大，如图1-29和图1-31所示， 一般地说，光谱响应主要由材料禁带宽度决定，禁带宽度越窄则对长波越敏感，但禁带很窄时，半导体中热激发也会使自由载流子浓度增加，使复合运动加快，灵敏度降低，因此采用冷却灵敏面的办法来降低热发射，来提高灵敏度往往是很有效的。温度降低，使灵敏范围和峰值向长波范围移动，降低了热发射，提高了灵敏度。 红外光电导探测率图 碲镉汞的光谱响应特性 第74页/共91页 *7. 噪声特性 热噪声（1MHz） 产生复合噪声(1kHz～1MHz) 电流噪声（低频） 高频 低频 高频 低频 1、噪声及探测率 第75页/共91页 １/f 热噪声 产生复合噪声 总噪声 f fc 0 总噪声 第76页/共91页 2. 噪声对偏流的影响 第77页/共91页 分析：流过探测器的电流近似恒定电流，与Rd无关,不随光辐射的变化而变化。 1. 恒流偏置 四、光电导探测器三种偏置方式 特点：信号受探测器电阻影响严重！ 第78页/共91页 例：高阻PC探测器的恒流偏置电路 如果采用左图简单的恒流偏置电路要求RLRd，又要IL较大，则VB要求很高电压。 例：VB＝（RL＋Rd）IL=(500K+100K)×0.5mA=300 V 第79页/共91页 例：锑化铟（InSb）PC探测器（77K）的恒流偏置电路 第80页/共91页 2.恒压偏置 分析：探测器上的电压近似等于VB，与Rd