基于CMOS开关电容DC-DC降压变换器.pptVIP

赵婷 2016年1月18日 (空军工程大学) 张立森 王立志 邵一丹 仿真与分析 结论 Abstract 在标准CMOS工艺的基础上, 分析了基本串并电容组合开关电容DC-DC降压变换器的工作原理和集成方法。采用两个单端开关电容变换器反相并联联结, 降低了输出电压波纹。利用电路内部节点电压驱动MOS开关管, 避免了每个开关管都必须单独驱动。用SPICE软件对电路进行了瞬态分析, 给出了分析结果。 开关电容( Switched- Capacitor) 变换器是利用电容的充电、放电实现电荷转移的原理构成的一种开关网络, 也称作电荷泵变换器。这种变换器仅由功率开关和电容组成, 不含磁性元件( 如电感等) , 所以具有拓扑结构简单、尺寸小、电磁干扰( EMI)低和转换效率高等优点, 十分适合于便携式电子产品的电源设计。由于开关电容变换器是一种离散时间系统, 需要较高的输入阻抗才能可靠地获得存储的电荷量, 所以混合集成时, 在CMOS 工艺中更容易实现。采用CMOS技术的开关电容变换器具有功耗低、集成度高和抗噪声能力强等特点。 1. 引言 本文将CMOS 技术引入到开关电容网络中, 分析了二阶串并电容组合构成的降压型DC-DC变换器的基本工作原理,并在此基础上设计了由MOS 开关和MOS 电容组成的、适合片上集成的开关电容降压变换器。该变换器结构并联对称, 计算机仿真结果表明其工作性能优于普通开关电容变换器。 2. 开关电容DC- DC 变换器的基本原理 基本串并电容组合开关电容变换器及其开关控制信号如图1 所示。 该变换器有两种工作状态, 状态I：开关S1, S3 导通,S2, S4, S5 截止, 电容C1, C2 串联充电, Cout 放电提供负载电流; 状态II：S1, S3 截止, S2, S4, S5 导通, C1, C2 并联放电, 向Cout 补充电量。 该式即为脉冲宽度调制(PWM)下, 基本串并电容组合开关电容变换器的稳态电压的表达式。如果考虑电容器的等效串联电阻(ESR) , 则输出电压会进一步降低。理想情况下, 开关的导通电阻r等于零, 有VL=Vin/2。实际工作中, VLVin/2, 可见该变换器是一个降压型直流变换器。 设r是开关管的导通电阻,开关S1, S3 的导通比为d=ton/T( 0d1),令C1=C2,且忽略电源的内阻,则用状态变量平均法分析图1(a)所示电路, 可得输出电压为: 3. MOS 开关和集成电容器 开关电容变换器电路的核心部份由开关和电容构成, 下面将简要介绍在标准CMOS 工艺中, 这两种元件的集成方法。 3.1 MOS开关 MOS 开关是CMOS 模拟电路的基本模块, 一般用NMOS管或PMOS管或它们的串并联结构实现。MOSFET 作为开关应用是运用了其工作在截止区和非饱和区的特性。在截止区, 源极和漏极之间没有导电沟道, 漏极电流ID为零, 对应开关的断开状态; 在非饱和区, VDS 很小, ID 较大, 对应开关的导通状态。 当MOS 管导通时, 源极和漏极之间的导电沟道可用一个线性电阻表示, 其阻值为 其中μn 为低场电子迁移率, COX 为单位面积的栅氧化层电容值。 3.2 集成电容器 在面向模拟设计的CMOS工艺中, 常用双层多晶硅MOS电容器，如图2 所示, 它做在场氧化层(FOX) 上, 电容的上下电极( 掺杂多晶硅) 通过场氧化层与其他元件及衬底隔开, 所以是一个寄生量很小的以多晶硅为上下极板、以薄氧化层为介质的固定电容。只要能精确控制所生长的氧化层介质的质量和厚度, 就可得到精确的电容值, 其电容值的大小为 其中ε0 为真空电容率, εOX 为氧化层的相对电容率, tOX 为氧化层厚度。 4. CMOS开关电容DC-DC降压变换器的实现 开关电容DC-DC降压变换器的并联对称结构如图3(a)所示,(b)图是时钟信号, 相同标号的结点表示是相连的。 为了便于分析图3(a) 电路的工作过程, 假设每个周期中电容都被充分充电到Vin/2, 且保持不变。 该电路工作过程: 当p1 电压为Vin(p2 电压为0)时, M3导通, M4 截止, 节点b1 电压为0, C1保持上一周期的充电电压Vin/2, 所以a1 电压为Vin/2, M2 导通, a2 电压为Vin, 从而M1 截止, M7, M9 导通。由于C2 两端电压为Vin/2, 所以b2 为Vin/2,又c1的电压保持在Vin/2,所以M5 截止。C1、C3通过开关M3、 M7、M9并联向Cout 和负载放电。 因为b1为0, c2为Vin/2, 所以M6 导通。c2为Vin/2, a