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GaN材料的欧姆接触研究进展 摘要：III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能和可靠性的一个问题。对于各种应用来说，GaN的欧姆接触需要得到改进。通过对相关文献的归纳分析，本文主要介绍了近年来在改进n-GaN和p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。 关键词：GaN;欧姆接触  引 言 近年来，氮化镓（GaN）因其在紫外探测器、发光二极管（LED）、高温大功率器件和高频微波器件等领域的广泛应用前景而备受关注。实现金属与GaN间的欧姆接触是器件制备工艺中的一个重要问题。作为宽带隙材料代表的GaN具有优异的物理和化学性质,如击穿场强高,热导率大,电子饱和漂移速度快,化学稳定性好等,在蓝绿光LEDs,蓝光LDs,紫外探测器及高温、微波大功率器件领域具有诱人的应用前景。近年来GaN基器件的研究取得了巨大进展,但仍面临许多难题,其中获得良好欧姆接触是制备高性能GaN基器件的关键之一,特别是大工作电流密度的半导体激光器及高温大功率器件更需要良好的欧姆接触。 欧姆接触是接触电阻很低的结，它不产生明显的附加阻抗，结的两边都能形成电流，也不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。本文主要介绍了2006年以来部分期刊文献中有关n-GaN和p-GaN器件欧姆接触研究的进展。 欧姆接触原理及评价方法 低阻的欧姆接触是实现高质量器件的基础。根据金属-半导体接触理论,对于低掺杂浓度的金属-半导体接触,电流输运由热离子发射决定,比接触电阻为: 式中:K为玻尔兹曼常数,q为电子电荷,A*为有效里查逊常数,ΦBn为势垒高度,T为温度。 对于较高掺杂的接触,此时耗尽层很薄,电流输运由载流子的隧穿决定,比接触电阻为，，式中为半导体介电常数，m为电子有效质量，为掺杂浓度，h为普朗克常量。 由此可知,要获得低阻欧姆接触,必须有低的接触势垒高度,高的掺杂浓度或两者兼有之。而GaN是一种离子晶体,它的金属半导体接触性质不同于传统的Si,Ge和GaAs,费米能级钉扎效应较弱,在金属与GaN界面处表面态密度较低,因此接触势垒高度主要取决于接触金属的功函数,在不考虑表面态影响的前提下,降低势垒高度的方法是:对于n型半导体,选择功函数小的金属,而对p型则应选择功函数大的金属。常用金属及GaN的功函数如表1。 表1 常用金属及GaN的功函数数值 金属 Au Pt Al Ti Pd Ni Ag ITO GaN p-GaN 功函数/eV 5.2 5.7 4.2 4.3 5.2 5.2 4.4 4.9 4.2 7.5 目前评价欧姆接触的方法有两种:①定性评价,即通过比较不同接触的I-V特性曲线的线性度和斜率,直观地判断欧姆接触的好坏;②定量评价,即通过测量,计算比接触电阻值,定量地反映电极和材料的欧姆接触特性。测量比接触电阻值常用的方法是传输线模型TLM(transmission line model),它包括矩形,圆环和圆点传输线模型。通过大量的实验证明矩形和圆环传输线模型具有较大的误差,测量的数值不准确,而圆点传输线模型,能消除因端电阻引入的误差,具有较好的可操作性、准确性和重复性。 2　n-GaN欧姆接触 2.1 AlN缓冲层欧姆接触的影响 选用Si衬底GaN基蓝光LED外延片，生长后将其转移到新的Si基板上，剥离掉原生长用的Si衬底，得到了出光面为N极性n型面即N面朝上的芯片，最后在N面制作n电极并制成垂直结构的LED芯片，具体结构如图1(a)所示。其中n型GaN施主掺杂浓度为。 采用同一炉外延相邻位置的两片外延片来制备LED芯片，在剥离硅衬底前采用完全相同的芯片工艺得到了芯片A和B。然后A和B分别采用不同的工艺制作n电极，其中样品A不做任何处理，保留AlN缓冲层；样品B腐蚀掉AlN缓冲层。在氛围，不同温度退火5 min。在图1(b)所示电极上，测芯片的I-V曲线。 图1(a)Si衬底垂直结构LED芯片结构图;(b)电极结构图 缓冲层AlN使Ti/Al电极在N面n-GaN上不用退火就能形成欧姆接触，比接触电阻率为，即使退火温度升高至600℃，也依旧呈现良好的欧姆接触特性，表现为很好的欧姆接触热稳定性。而去除AlN缓冲层的N面与Ti/Al电极只在退火温度500—600℃之间形成欧姆接触。因此，缓冲层AlN的存在可以使Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面更容易获得性能优良的欧姆接触。 2.2 大电流密度下欧姆接触的退化机理 在高电流密度应力作用下,金属薄膜中的金属离子与快速运动的电子(电子风)间发生了动量交换而产生的金属离子沿