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一、填空题 晶圆制备 用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。 晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。 CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。 CZ直拉法的目的是（）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。 晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。 制备半导体级硅的过程：1（）；2（）；3（）。 氧化 二氧化硅按结构可分为（）和（）或）。 热氧化工艺的基本设备有三种：（）、（）和（）。 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。 选择性氧化常见的有（）和（） 列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（）、（）、场氧化层和（）。 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。 硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。 热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。 淀积 目前常用的CVD系统有：（）、（）和（）。 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积、和（）。 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。 深宽比定义为间隙深度和宽度比值。高的深宽比的典型值大于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。 化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（ ）来向反应系统提供附加的能量。 在半导体产业界第一种类型的CVD是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（）的气体分子供发生反应。 HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：）、（）、（）、热中性CVD和反射。 金属化 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（ ），则溅射区域选择在（）。 溅射现象是在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（），还可以用来（）。 对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。 写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。 阻挡层金属是一类具有（）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（）和（）。 多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。 被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（ ）、（）和铜电镀。 溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。 光刻 现代光刻设备以光学光刻为基础，基本包括：（）、光学系统、（）、对准系统和（）。 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。 写出下列光学光刻中光源波长的名称：436nmG线、405nm（ ）、365nmI线、248nm（）、193nm深紫外、157nm（）。 光学光刻中，把与掩膜版上图形（）的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻；把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻。 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为（）、（）和（）。 I线光刻胶的4种成分分别是（）、（）、（）和添加剂。 对准标记主要有四种：一是（），二是（ ），三是精对准，四是（）。 光刻使用（）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形，光刻过程的其它说法是（）、光刻、掩膜和（）。 对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶，其有4个步骤：