石墨热场单晶硅切片和单晶炉项目建议书.docVIP

石墨热场、单晶硅切片和单晶炉项目建议书 xx是石墨热场生产基地xxxxxx需要稳定的热场供应实施xxxxxxxx石墨热场单晶硅切片单晶炉项目紧紧依托xxxxxx公司提供单晶硅棒同时给他们热场实现资源互补增强企业竞争力 4项目主要技术及工艺路线等 1单晶硅生产的工艺过程 A籽晶制备按照产品晶向要求制备籽晶 B原料准备按照产品电阻率要求向多晶原料中配入一定比例的母合金掺杂剂 C单晶棒拉制关键步骤采用切克劳斯基法利用单晶炉将配好的多晶原料拉制成单晶棒 D单晶棒检测检测单晶棒的各项性能指标判断是否是单晶各项性能指标是否达到要求 E单晶棒划线按照单晶棒的性能指标和后工序加工工艺要求在单晶棒头尾部分多晶部分有位错等缺陷的部分划线标示 F单晶棒切断按划线标示切断单晶棒 G单晶滚磨将切断的单晶滚磨到产品要求的直径 H单晶切方将单晶切成准方 I单晶腐蚀对有光洁度要求的单晶进行腐蚀处理使其表面光洁度达到要求 J成品检测对产成品进行各项性能指标的检测 2直拉单晶硅前工序-备料 ●多晶硅 生长直拉单晶硅所用的高纯多晶硅原料必须符合以下条件结晶致密金属光泽好断面颜色也一样没有明暗的温度圈和氧化夹层纯度要求高 一般金属材料含有少量的杂质时电阻率变化不大但纯净的半导体材料参入少量杂质后电阻率变化巨大这是半导体材料的一个基本特征因此为保证单晶硅的质量拉制单晶硅所用的多晶硅必须进行清洁处理 多晶和籽晶母合金上的油污先用丙酮或苯去掉再进行清洁处理多晶硅母合金和籽晶一般用硝酸和氢氟酸混合酸腐蚀反应式如下 Si 4HNO3 4HF SiF4↑ 4NO2 ↑ 4H2O SiF4 2HF H2[SiF6] Q 热量 也可用碱腐蚀 反应式如下NaOH的浓度为10-30 Si 2NaOH H2O Na2SiO3 2H2↑ 无论用酸腐蚀或碱腐蚀酸和碱的纯度要高一般采用分析纯以上等级 原材料腐蚀配比及腐蚀时间表HFHNO3 表6 名称 酸配比 说　　　　明 还原多晶硅 16～17 腐蚀液浸没多晶硅搅拌时不外露即可冒出大量棕黄色气体NO2时用高纯水冲洗 回炉多晶硅 15～16 同上 籽晶 16～17 旧籽晶如有氧化层应先用砂纸磨去再腐蚀 母合晶 16～17 碎块容易氧化腐蚀应缓慢 石英坩埚 110 一般腐蚀１－２分钟后用高纯水冲洗也可在王水HCLHNO3 31中浸泡２４小时后在用高纯水冲洗 多晶硅籽晶和母合金进行酸腐蚀后要用高纯水进行冲洗注意在清洗时不要将多晶硅露出液面否则会出现氧化现象腐蚀好的多晶硅还需要进行超声波清水或纯水煮沸清洗以增加清洗效果 将清洗好的多晶硅或籽晶母合金放入垫有四氟塑料的烘盘中放入红外烘箱中进行烘干烘干后的原料要求放入干净的塑料袋内封好待用 ●籽晶 籽晶是生长单晶的种子也叫晶种用不同晶向的籽晶做晶种会获得不同晶向的单晶拉制单晶用的籽晶一般单晶切成为了保证单晶的质量切籽晶所用的单晶一般用高阻单晶切制籽晶的时候需进行定向切割目前一般要求籽晶与所要求的晶向无偏角即所谓的零度籽晶本项目采用圆形籽晶籽晶的几何尺寸一般为125×130ｍｍ或175×130ｍｍ ●母合金掺杂剂 拉制一定型号的电阻率的硅单晶要选用适当的掺杂剂五族元素常用作单晶硅的N型掺杂剂主要有磷砷锑三族元素常用作单晶硅的P型掺杂剂主要有硼铝镓拉制电阻率低的单晶硅一般用纯的元素作掺杂剂拉制电阻率高的硅单晶则采用母合金作掺杂剂所谓母合金就是杂质元素与硅的合金常用的母合金有硅磷和硅硼两种杂质浓度一般大于1018原子／cm3采用母合金作掺杂剂是为了使掺杂量更容易控制更准确 ●石英坩埚 石英坩埚是单晶硅制备过程中熔硅的容器有透明的和不透明的之分均为SiO2制成用于单晶生长的石英坩埚要求厚薄均匀一致内壁光滑无气泡纯度高用天然石英砂制作的石英坩埚纯度较低不能满足拉制单晶硅的要求一般在坩埚内壁喷涂一层人造高纯石英来满足硅单晶制备要求 3直拉单晶硅的生长条件 由于晶体生长实在高温下进行根据硅的化学性质要求必须在真空条件或保护气氛下才能避免被氧化因此要求单晶炉必须有真空系统供气系统及炉壁和部分部件的水冷系统由于单晶生长过程中的速度和温度必须稳定因而要求单晶炉要有精密稳定的上下轴运动旋转控制系统及温度自动调节系统就单晶硅生长效率和大直径而言则要求单晶增大容量和实现自动化控制就提高单晶硅的内在质量及进一步提高生长效率而言新型的MCZ单晶炉和连续加料单晶炉的问世将解决此问题 ●热系统 直拉单晶炉热系统由加热器保温系统支持机构托杆托碗等组成加热器是热系统的主体由高纯石墨制成保温系统则由高纯石墨和碳毡钼丝等几种材料混合而成 单晶炉内温度的变化在各方向不同常用温度梯度从数量上描述热系统的温度分布情况用dTdr表示这种热力学上的温度分布称为温度场通常称为热场在晶体的生