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利用附加电感实现高频功率MOSFET谐振栅极驱动 电气传动2005年第35卷第1期利用附加电感实现高频功率MOSFET谐振栅极驱动 利用附加电感实现高频功率 MOSFET谐振栅极驱动 沈刚王华民 西安理工大学 摘要:通过在功率MOSFET栅极驱动回路增加附加电感,利用栅极电容与附加电感的能量交换实现谐振栅极驱 动,从而降低驱动功率损耗.保证该电路可以在高频情况下正常运行.实验验证了该方法的正确性与实用性. 关键词:功率MOSFET附加电感功率损耗高频 ImplementofResonantGateDriveforHighFrequencyPower MoSFETwithAdditionalInductor ShenGangWangHuamin Abstract:Aresonantgatedrivecircuitisintroducedinthispaper.Inthiscircuit,anadditionalinductoris connectedtothegateofpowerMOSFET.Hence,theenergybetweenthegatecapacitanceandtheadditionalin— ductorcanbeexchanged,thedrivingpowerdissipationcandecrease.Allthoseenablethecircuittooperatewell inhighfrequency.Throughexperiments,itprovesthatthecircuitiscorrectandpractica1. Keywords:powerMOSFETadditionalinductorpowerdissipationhighfrequency 1引言 目前,在驱动功率MOSFET时,广泛使用的 是传统的硬开关式栅极驱动电路,该类驱动电路 主要有以下缺点:①驱动电路本身的功率损耗较 大,限制了其在高频情况下的应用;②必须具备电 平移动的功能,增加了电路的复杂性;③充放电回 路中的寄生电感会引起电路的振荡,这对电路的 稳定性是不利的. 针对传统功率MOSFET驱动电路的缺点, 目前已有大量的专利文献提出了多种方法来解 决.然而,这些方法由于都有各自的局限性而都没 有得到普遍的接受和应用. 为了解决传统功率MOSFET栅极驱动电路 的不足,本文介绍了一种谐振栅极驱动电路,它通 过利用外加的电感与功率MOSFET栅极电容发 生谐振,从而直接在功率MOSFET栅极电容上 产生驱动信号.由于利用的是LC电路的谐振原 理,在功率MOSFET开通和关断时,电容上的能 量只是和电感进行交换,并没有发生损耗,所以该 28 电路可以在较高的频率下工作.同时,由于是直接 在栅极电容上产生驱动信号,所以不需要电平移 动电路,简化了电路的结构.另外,充放电回路中 的杂散电感可以作为外加电感的一部分参与谐 振,从而避免了回路振荡现象的出现. 2工作原理 本文介绍的谐振栅极驱动电路的原理图如图 1所示.其中,S,S是2个交替导通的开关管;C 是MOSFET栅极电容;L是外加的电感;D,D 是2个二极管,用于限制电容充放电的路径;. 是外加的电源;R.是开关管S,S的导通电阻. 图1谐振栅极驱动电路原理图 利用附加电感实现高频功率MOSFET谐振栅极驱动电气传动2005年第35卷第1期 该电路的工作波形如图2所示. 驱动信号s,天断s开通『一 一 ,I/J I c /If ,|/ !厂=_/. .ro,阻一D,阻断一J 图2电路工作波形图 工作原理:首先假设在一0之前电容C已被 充成负向的,即为负电压,开关管S关断,S 导通.D阻断,并在其上有一个一的压降,S.上 的压降为V一(一V)一V+.在t一0时,开关管 S.导通,S.关断.此时,将会有一电流从电源通 过开关管S,二极管D,电感I进入到电容C中, 该电流的波形是半个周期的正弦波,即电路出现 了半个周期的谐振.经过时间后,电路的谐振被 D.停止,这个过程使得电容C上的电压从一.一 变到叶.在这之后,电容C保持这种状态,直到 开关管S.关断,S.导通为止.当驱动信号到来使 得开关管S.关断,S.导通时,出现与上述相同的 一 个过程,只不过是电流从电容C流过开关管 S,二极管D以及反向流过电感L.因此.电容C 是先放电再反向充电,直到一一为止.整个过程 周而复始不断循环,从而就可以在电容C上得到 一 种类似正弦的电压波形,各点波形如图2所 示.显然,电容C上储存的能量是不断循环的,而 电容C两端的电压也不断在时和一一之间 变换.可以看出,整个电路是一个闭环的能量系 统,能量的输入等于能量的消耗,由于电容C上 的能量只是在不断地循环并不消耗,因此电路上 的损耗主要