无机材料化学（第8讲电学性质）知识讲稿.pptVIP

3.2 电学性质;3.2.1　 材料的电导;　任何物质（包括电介质）都有一定的电导，即在电场作 用下都会有电流通过（漏电流）。其电流包括两部分： 　　 表面(漏)电流：由电荷在材料表面迁移形成。 　　　　主要取决于周围环境湿度、材料表面性质 和清洁度等。采取措施可基本消除。 　　 贯穿(漏)电流：由电荷在材料内部迁移形成。 　　　　 贯穿材料的漏电流反映材料的本质。;材料导电表明其内部有带电质点（载流子）作定向运动， 金属材料的载流子：自由电子； 　 半导体的载流子：电子和空穴，电子或空穴； 　 离子晶体的载流子： 离子空位、间隙离子、杂质离子； 　　　　　 电子或空穴 (非化学计量化合物)。　;　温度会影响载流子的浓度及运动速率，从而影响材料 　的导电能力。温度升高： 　　金属导电能力(σ)降低, ρ增大。 　　（电子同声子碰撞几率增加，电子定向流动阻力增大， 迁移速率下降） 　　本征半导体导电能力(σ) 增大, ρ降低。 　　 （有更多的电子获得能量进入导带，载流子浓度增大） 　　 晶体材料导电能力(σ) 增大, ρ降低。 　　（对掺杂或非掺杂的晶体材料，温度升高，本征缺陷浓 　　　　度增大，使载流子浓度增大） ;　对空位载流子：由空位形成能和空位迁移能两部分组成。 　 对间隙离子载流子：只有间隙离子迁移能。;　　对σ＝Ae-U/kT式取对数：　　 lnσ=lnA-B/T 　　从直线斜率可求出电导活化能U。晶体的U约为1~2ev。;本征离子电导：源于晶体点阵的基本离子的运动。 　　　　　　　载流子为本征缺陷产生的间隙离子和空位。 　　　　　　　温度升高，载流子浓度增加，本征离子电导增大。 　　　　　　　高温下本征离子电导特别显著。 杂质离子电导：由杂质离子的运动引起。 　　　　　　　载流子为杂质离子本身。 载流子浓度不随温度变化。 　　　　　　　掺杂使晶格发生畸变，杂质离子迁移活化能较小。 　　　　　　　 低温下杂质离子电导较显著。 （杂质离子是弱联系离子）;杂质离子电导的载流子浓度;对含有杂质的离子晶体，杂质离子和本征缺陷对电导都有贡 献，总电导率可表示为：　　　;离子性质、晶体结构与电导率和活化能的关系;2.电子电导 ;当材料中掺入不等价的杂质离子或形成非化学计量化 合物时，就有可能出现电子或空穴，导致材料表现出 非本征电子电导。 　例如，金红石陶瓷具有电阻率高的特点，有良好的 绝缘性，是制备瓷介电容器的主要材料。但是，如果在还原性气氛中烧制，组成变为TiO2-x，就形成n型半导体，表现出电子电导，失去绝缘性。因此烧制TiO2陶瓷要避免在还原性气氛中进行。 ; 　 例如，经高温烧结的SnO2，由于高温失氧，造成阴离子空位，生成非化学计量化合物SnO2-x，成为n型半导体。 为利用其导电性，还可采用掺杂造成更大量的缺陷，提高载流子浓度。如，按SnO2:CuO:Sb2O3=96:2:2配成的坯料，压制成型后，在1500℃烧结，所得的SnO2陶瓷具有热膨胀系数小、导热性好、高温电阻率小的特性，可用作输送电流的电加热元件。;　 一些半导性陶瓷材料的电导率对热、光、声、磁、湿、电压及某种气体、某种离子的变化特别敏感，会产生一系列敏感效应，如热敏、光敏、声敏、磁敏、湿敏、压敏、气敏等，利用半导体陶瓷的敏感特性，可制成相应的传感器件，使半导体陶瓷的应用范围更为广泛。 ;3.固体电解质;;;（a）银和铜的卤族化合物和硫族化合物 　　　　 例如： α-AgI、Ag3SI、CuS （b）具有β- 氧化铝结构的高迁移率单价 　　　阳离子氧化物；例如：Na2O·11Al2O3 （c）具有氟化钙结构的高浓度缺陷氧化物 　　　例如：ZrO2(CaO) 或 ZrO2(Y2O3 ) 　　　 ;化 合 物;　　例如： α- AgI 、Ag3SI、CuCl、CuS 结构特点：晶格中阴离子位置固定，导电金属离子可 　　　　　　 占据的格点位置数比实际存在的离子数多， 　　　　　　 导电离子在格点上统计分布。; 导电时，Ag+可以从一个四面体位置通过三配位过渡态迁移至邻近的一个四面体位置。在过渡态位置上Ag+与I-间的共价结合有助于使它稳定，并降低导电的活化能 。 Ag+统计分布在四面体和三角形（四面体的面）的配位位置上。;（2）具有β- 氧化铝结构的高迁移率单价阳离子