电容元件选择指南.docVIP

电容 电容通常是电路中使用最多的元件,目前常用的有MLCC多层陶瓷电容以及Solid TAN 电容。 2.1电容的指标 耐压指标额定电压rated voltage UR 允许的加到电容两端的最大持续直流电压。常说的电容耐压指的就是这个数据。电容的结构，材料，体积（绝缘层的厚度）决定其耐压值。反向电压reverse voltage对于有极性电容 polar capacitor ，要求两端电压方向不能变反.通常的极性电容都能容忍偶尔的短时间的反向电压，长时间加上较大反向电压可能导致破坏性后果。即便不发生破坏性后果，也会导致容量变小，损耗增大。 容值 AC Capacitance 利用测试用正弦波测试电容AC阻抗得到的容值。有120HZ 和1KHZ 两个标准。测试电压0.5Vrms,DC bias 在2v 左右。(有较为通用的业界标准) DC capacitance 利用充放电和RC定时电路得到的容值。通常情况下DC capacitance要比ACcapacitance 大一些，在耐压低的电容上差别还要明显。电容上标称的电容为额定值，一般是指AC capacitance，而且是在一定的测试方法下测得的,测试条件变化,将得到不同的容值。 Temperature dependence 电容温度变化时，容值也将发生变化。一般标称值是指室温下的容值。温度升高，容值增大，低耐压和大电容受温度的影响要严重一些。 Frequency dependence 电容容值受到工作频率的影响，当频率升高时，由于受杂散电阻和杂散电感的影响，阻抗下降没有那么快。这直接导致了测量的AC cap（等效的容值）变小。下图为某电容的测试情况。 Dissipation factor tanδ损耗因素（损耗正切） 其是电容的等效串联电阻ESR 与其容性电抗的比值，或者说是其消耗的power（有功）与其反射的power（无功）的比值。该值反映了电容的能量损耗，因为纯电容是不消耗能量的。工作频率高时，介质损耗增大。不同介质材料相对温度的损耗特性复杂一些。一般，温度升高，介质损耗增大。而对于通常材料的TAN，NB,在常温下,损耗最小.温度升高,降低都会导致损耗增大.电容的损耗因素与电感的Q 值相当,都反映了其的品质. Impendence： ESR: dielectric losses 和引线封装引起的，受频率，温度影响。通常来讲f 升高，ESR 降低，但此时损耗还是增加的。温度升高时，ESR 也是降低的。ESL：封装引线引起的，受频率影响，基本不受??度影响。 - ? 上图为某电容的典型阻抗特性，其经历了如下几个阶段。 Ripple current 允许通过电容的交流电流的RMS值（均方根值），可能是纹波或周期的工作电压引起的。依据损耗因素的定义，电容本身需要消耗一定的能量。这将引起电容自身温度上升，如果受到电容体积和layout 的限制，导致散热不良，将影响电容的寿命和性能。当环境温度较高时，允许的纹波电流应该更小。电容手册中给出了纹波电流的指标，但是温度和频率变化时，其允许的纹波电流也是变化的。纹波电流产生的热量是影响电容寿命的主要因素，因此在纹波电流较大的场合，应该尽可能的选择较大的耐压和容值的电容。 2.2电容的常识 2.2.1.电容的标称值 通常使用的E12 code,这点类似于电阻的命名. 2.2.2电容的封装，精度，耐压 同电阻的封装命名 CASE　　 M1608 CASE　　 P2012 CASE　　 A3216 CASE 　　B3528 CASE 　　C6032 CASE 　　D7343 精度：　K+-10% 　　M+-20% 耐压:　　0J6.3V　　1A10V 　1C16 2.2.3常用电容的特性 同样case 的的电容封装中，耐压值和电容值是不可兼得的，可以认为成反比。同样case 的电容封装，成本与耐压和容值的乘积成正比。 MLCC多层陶瓷电容 陶瓷电容的4 个等级 C0G : 0+/-30ppm/C (-55 - 125C) X7R : +/- 15% ( -55 - 125C) X5R : +/- 15% ( -55 - 85C) Y5V+20%,-80%(-35-85C) TAN电容 Solid钽电　　Pos钽 常用电容的特性比较 钽电解电容可以较小的封装获得较大的容值.而陶瓷电容普遍容值较小。钽电解电容的ESR 普遍在1ohm 数量级(几ohm,几百ohm)，而MLCC 普遍在100mohm以下。钽电解由于封装和结构的原因,ESL 也较大。陶瓷电容可以允许较大的纹波电流，因为其ESR 较小，所以，同样的ripple 下，功耗小。不同电容的温度特性是不一样的,Y5V 的温度特性较差,因此不适宜在敏感电路出现。 X7R 的系列MLC