半导体激光器基础.ppt

在一个具有N个粒子相互作用的晶体中，每一个能级会分裂成为N个能级，因此这彼此十分接近的N个能级好象形成一个连续的带，称之为能带，见图7.3.1。 1 固体的能带 一、半导体的能带和产生辐射条件 图7.3.1 固体的能带 在一纯净(本征)半导体材料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理想状态下，能带由一个充满电子的价带和一个完全没有电子的导带组成，如图7.3.2。 2 半导体的能带 一、半导体的能带和产生辐射条件 图7.3.2 本征半导体的能带 热平衡时，电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分布，而服从费米分布。 3 半导体能带的特点 一、半导体的能带和产生辐射条件 能级E被电子占据的几率为： 讨 论 对于本征半导体材料，费米能级在禁带的中间位置，低于导带能级，高于价带能级。由上式可见，价带中中的电子总是高于导带中的电子，在0K时，导带被电子占据几乎为零。 3 半导体能带的特点 一、半导体的能带和产生辐射条件 讨 论 N型半导体：在四价半导体材料中参杂五价的元素，取代四价元素在晶体中的位置。多出来的电子不能参与组成共价键，成为自由电子。 P型半导体：在四价半导体材料中参杂三价的元素，取代四价元素在晶体中的位置。由于三价元素少一个电子，其中一个共价键出现空穴，电子占据价带的几率增大。 这使得在导带的下方靠近导带的地方形成新的能级，称为施主能级。 这使得价带的上方靠近价带的地方形成新的能级，称为受主能级。 3 半导体能带的特点 一、半导体的能带和产生辐射条件 讨 论 半导体中产生光放大的条件是： 在半导体中存在双简并能带 入射光的频率满足 1 P-N结的双简并能带结构 二、PN结和粒子数反转 把P型和N型半导体制作在是否是否可能在结区产生两个费米能级呢？ 未加电场时，P区和N区的费米能级必然达到同一水平，如图7.3.4 在P-N结上加以正向电压V时，形成结区的两个费米能级EF+ 和EF-，称为准费米能级，如图7.3.5。 图7.3.4 PN能带 图7.3.5 正向电压v时形成的双简并能带结构 2 粒子数反转 二、PN结和粒子数反转 产生受激辐射的条件：是在结区的导带底部和价带顶部形成粒子数反转分布。 激光器在连续发光的动平衡状态，导带底电子的占据几率为： 价带顶空穴的占据几率可以用P区的准费米能级来计算 2 粒子数反转 二、PN结和粒子数反转 价带顶电子占据几率则为 在结区导带底和价带顶实现粒子（电子）数反转的条件是