电晶体BJT特性.pptVIP

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2018-06-14 发布于天津
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电晶体BJT特性.ppt

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电晶体BJT特性

電子學實驗陳瓊興編實驗七實驗目的學習量測並描繪電晶體的集極特性曲線。學習使用萬用電表測量電晶體的hFE值及判斷電晶體的腳位。電晶體分類電晶體(Transistor)有兩大類：雙極性接面電晶體(BJT) NPN PNP TTL (電晶體-電晶體邏輯閘) IC 74XX系列場效電晶體 (FET) 接面場效電晶體(JFET): N channel and P channel MOSFET: NMOS and PMOS CMOS(互補式MOS) IC 4XXX系列表7-1常用電晶體之規格電晶體偏壓電路 HM6042 curve tracer 實驗說明由於不同廠牌萬用電表之設計，判斷BJT電晶體腳位時，需適當搭配PNP與NPN之切換。以便取得正確之訊息。項目二：電晶體集極特性曲線描繪注意：當推動電流不足時，VRC將接近0V，所以要注意電源供應器的VCC電流推動是否足夠。否則需增大電流供給，即調整電源供應器的電流旋鈕。 * * 電晶體BJT特性 (a)NPN (b)PNP 圖7-1 BJT之標準符號圖7-2 電晶體的順-逆偏壓雙極性接面電晶體 NPN 約150 625mW 150mA 75V 2N222A PNP 約150 800mW 500mA 80V 2N4355 NPN 約150 800mW 500mA 80V 2N3569 NPN 約40 115W 15A 100V 2N3055 NPN 約150 1W 700mA 60V 2N3053 PNP 約40 115W 15A 100V MJ2955 NPN 40~320 30W 3A 60V 2SD313 NPN 70~240 400mW 150mA 60V 2SC1815 NPN 約160 1W 1A 60V 2SC1384 NPN 約200 250mW 100mA 60V 2SC945 PNP 70~240 400mW 150mA 60V 2SA1015 PNP 約200 250mW 100mA 60V 2SA733 PNP 約160 1W 1A 60V 2SA684 PNP 70~240 400mW 150mA 50V 2SA495 βDC(hFE) Pc Ic Vcbo 備註規格編號圖7-6 電晶體的二種包裝(a)金屬外殼包裝(b)鋁外殼外殼(c)一般塑膠外殼包裝雙極性接面電晶體 (a)NPN (b)PNP 圖7-10曲線描跡器集極特性曲線