p型ncsih薄膜的热丝cvd法制备与性能研究-preparation and properties of p - type ncsih thin films by hot filament cvd method.docxVIP
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p型ncsih薄膜的热丝cvd法制备与性能研究-preparation and properties of p - type ncsih thin films by hot filament cvd method
承诺书本人声明所呈交的硕士学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得南京航空航天大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。本人授权南京航空航天大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本承诺书)作者签名:日期:摘要氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜是一种纳米颗粒镶嵌在非晶硅网络中的混合相结构材料,具备优异的光电性能,是第二代和第三代太阳电池的重要材料。特别是在硅基单结和叠层薄膜太阳电池中,研究制备具有高晶化率、高电导率、低激活能和较宽光学带隙的p型nc-Si:H薄膜对提高太阳电池的性能意义重大。热丝化学气相沉积(HotWireChemicalVaporDeposition-HWCVD)具有无离子轰击、气源利用率高及沉积速率快等优点,有望同时实现掺杂nc-Si:H薄膜的高晶化率和高电导率。因此,本研究采用HWCVD制备p型nc-Si:H薄膜,运用Raman散射谱、紫外可见分光光度计、四探针方阻测试仪、霍尔效应测试仪、变温电导测试系统等手段,系统地研究各个沉积参数(灯丝温度、掺杂比例、氢稀释比、沉积气压)对薄膜微结构和光电性能的影响,并深入探讨其掺杂机理。结果表明:灯丝温度升高使薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸增大,光学带隙增大,载流子浓度增大,此时硼掺杂浓度和晶化率的增大有利于电子隧穿,使得薄膜的电导激活能减小。过高的灯丝温度导致薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸减小,光学带隙减小。B2H6掺杂比例提高会使薄膜非晶化,在薄膜吸收边的附近引入带隙态,使光学带隙变窄,此时载流子浓度增加,霍尔迁移率和电导激活能单调减小。当氢稀释比提高时,有更多的H原子覆盖薄膜生长表面,而且非晶成分被选择性刻蚀,因而薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸增大,此时BH3粒子的化学吸附占主导,因而载流子浓度增大,而进一步提高氢稀释比,物理吸附占主导,载流子浓度略有减小。在本研究中,存在一个气压值为6Pa的临界沉积气压。临界气压以下,当沉积气压升高时,薄膜表面的H原子覆盖和SiH3粒子增多,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸增大;临界气压以上,当沉积气压升高时,薄膜表面的H原子覆盖减少,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸减小。另外,当沉积气压升高时,BH3粒子增多,但吸附方式从化学吸附逐渐变为物理吸附,因而载流子浓度先迅速增大后缓慢增大甚至减小。在此基础上我们成功制备出晶化率为67.6%,光学带隙为1.84eV,电导率高达40S/cm,电导激活能仅为13.5meV的优质薄膜。关键词:氢化纳米晶硅,热丝化学气相沉积,硼掺杂,晶化率,电导率,激活能AbstractHydrogenatednanocrystallinesilicon(nc-Si:H)thinfilmisamixedphasematerialwherenanocrystalsareembeddedinanamorphoussiliconmatrix.Duetoitsexcellentphotoelectricproperties,itisanimportantmaterialinthesecondandthirdgenerationsolarcells.Especiallyinsiliconsingleandtandemthinfilmsolarcells,itisofgreatsignificancefortheimprovementofsolarcellperformancetopreparethep-typenc-Si:Hthinfilmwiththepropertiessuchashighcrystallinityandconductivity,lowactivationenergyandwideopticalbandgap.Hot-wirechemicalvapordeposition(HWCVD)hasseveraladvantagessuchasnoionbombardment,highgasutilizationanddepositionrate,whichisapromisingdepositionmethodtopreparethedopednc-Si:Hthinfilmwithhighcrystallinityandconductivity.Inthisstudy,p-typenc-Si:HthinfilmswerepreparedbyHWCVD,andthefilmmicrostructuralandphotoelectricpropertieswerecharacterizedbyRaman,UV-vi
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