光电子技术 - chap - 光波探测与解调.docVIP

——————————————————————————————————————————————— 光电子技术 - chap 5 - 光波探测与解调 Detection and Demodulation of Light Waves 刘显明 Email: QQ: 光波的探测 ?光子探测机理与方法?光电探测器基础?典型光电探测器光波的解调?信号解调方法 ?按光—电相互作用分类光子直接对电子产生扰动温升使材料的某些特性发生变化 电磁场对材料的扰动所引起材料某些 内特性发生变化 输出信号是敏感 区域的平均值 对敏感区域的空间 变化所产生的响应?光电效应 ?电磁波对材料的影响?光热效应?波扰动效应??按响应区域分类?点探测器光电探测器??图象探测器 1.光电探测器介绍 2.光电探测器性能参数 3. 探测器噪声 ?1873年，英国的Smith和May在大西洋横断海底电信局所进行的实验中发现当光照射到电阻Se棒后，其电阻值约改变30%，同年Simens将白金绕在这种Se棒上，制成了第一个光电池；1888年，德国Hallwachs在作Hertz的电磁波实验中，发现光照射到金属表面上会引起电子发射 1909年，Richtmeyer发现，封入真空中的Na光电阴极所发射的电子总数与照射的光子数成正比，奠定了光电管的基础；美国Zworkyn研制出各种光电阴极材料，并制造出了光电倍增管，并于1933年发明光电摄像管； 1950年，美国的Weimer等人研制出光导摄像管 1970年，Boyle等人发明了CCD(电荷耦合器件)。????? 美国科学家威拉德·博伊尔和乔治·史密斯因发明电荷耦合器件(CCD)图像传感器获得2009年诺 贝尔物理学奖。 光探测器：能把光辐射量转换成另一种便于测量的物理量的器件 光电探测器：把光辐射量转换成电量（电流或电压）的光探测器 光电探测器 光辐射量电量 探测器件 热电探测元件热敏电阻测辐射计 热电偶 外光电效应 热释电探测器 非放大型放大型光电导探测器光磁电探测器内光电效应光子探测元件像增强器 摄像管 变像管本征型掺杂型非放大光电池放大型光电场效应管 雪崩型光电二极管光敏电阻 光电探测器性能参数1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.量子效率响应度光谱响应等效噪声功率归一化探测度频率响应噪声谱其它 量子效率? 量子效率，又称量子产额，是指每一个入射光子所释放的平均电子数。 IceIchνη??PhνeP P是入射到探测器上的光功率，Ic是入射光产生的平均光电流大小，P/h?是单位时间内入射光子平均数，Ic/e是单位时间产生的光电子平均数，e是电子电荷。 响应度R 响应度为探测器输出信号电压Vs与输入光功率P之比： VsR?P单位为V/W 光谱响应 表征R随波长?变化的特性参数 光谱响应 InGaAs光电探测器光谱响应曲线 等效噪声功率NEP 定义为相应于单位信噪比的入射光功率，用来表征P探测器探测能力：NEP?Vsn NEP越小，探测能力越强。 由于噪声频谱很宽，为减小噪声影响，一般将探测器后面的放大器做成窄带通的，其中心频率选为调制频率。这样，信号将不受损失而噪声可被滤去，从而使NEP减小，这种情况下NEP的定义为： [P/(?f)]NEP?式中Δf为放大器带宽。Vsn1/2 归一化探测度*D 探测度D：单位入射功率相应的信噪比，是 11VsNEP的倒数D??()NEPPVn 通常归一化探测度D*比前述D更能体现探测器性能。D*表示单位探测器面积、单位带宽的探测度，1定义式为： 2()A?fVs*d()D?D(Ad?f)?PVn12 式中Ad为探测器面积，?f为放大器带宽。 频率响应R ( f ) 频率响应R( f )是描述光探测器响应度在入射光波长不变时，随入射光调制频率变化的特性参数。它是光探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，是表征光探测器频率特性的重要参数。 光探测器频率响应曲线 除了以上基本参数以外，使用探测器时还会遇到以下参数： 1.暗电流，指没有信号和背景辐射时通过探测器的电流； 2.工作温度，对于非冷却