直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素 第28卷??第3期中??国??稀??土??学??报 JOURNALOFTHECHINESERAREEARTHSOCIETY 2010年6月 李艳花,傅毛生,危亮华,周雪珍,周新木,李永绣 * (南昌大学稀土与微纳功能材料研究中心,化学系,江西南昌330031) 摘要:以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征。采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响。确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%,此时的抛光速率为61.1nm??min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148nm。 关键词:纳米CeO2粉体;化学机械抛光;材料去除速率;硅晶片;稀土 中图分类号:O614.33;O614.41????文献标识码:A????文章编号:1000-4343(2010)03-0316-06 ????化学机械抛光(CMP,Chemicalmechanicalpol??ishing)技术是目前超大规模集成电路ULSI(UltraLarge??ScaleIntegration)工艺中公认的最佳和不可或缺的全局平坦化工艺技术 [1] 布均匀的类球形纳米CeO2粒子的制备 [11,12] 。采用 粒径在10nm左右的CeO2粒子对p型(111)硅片进行抛光,在1??m 1??m范围内得到了Ra值为0.10~0.13nm的超光滑表面。与此同时,通过建立磨料与硅晶片间的接触模型,解释了使用纳米CeO2磨料对硅晶片晶型化学机械抛光的加工机制以及CeO2的化学作用 [12,13] 。随着计算机、通信及 网络技术的高速发展,对作为其基础的集成电路的性能要求愈来愈高,使得CMP在集成电路行业的重要性越来越显著,对CMP技术也提出了更高的要求 [2] 。 。 硅芯片不仅可广泛用于半导体集成电路,而且在半导体照明的LED器件上也有非常大的应用潜力 [14,15] 氧化铈(CeO2)已被广泛应用于精密光学玻璃和超大规模集成电路二氧化硅介质层的抛光,并表现出优秀的抛光能力 [3] 。从大规模的应用要求出发,需要在保 。例如:采用超低固体含量 证表面质量的前提下尽量提高抛光速率。为此,需要开发更多的合成技术来制备所需的氧化铈研磨粒子,并对抛光浆料的相关参数进行优化。本文以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,H2O2为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米CeO2粉体并对硅晶片进行化学机械抛光。研究了浆料pH值、固含量和H2O2的浓度等参数对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响。为更深入研究CeO2浆料抛光硅晶片的机制提供了理论基础。 的CeO2浆料对光学玻璃进行抛光,在1??m 1??m范围内得到了RMS(Rootmeansquare)为0.47nm的超光滑表面 [4] 。而且,CeO2浆料对SiO2膜和 Si3N4膜的抛光表现出很好的选择性。因此,有关CeO2在二氧化硅介质层化学机械抛光中,抛光压力、介质性质、温度等工艺参数对抛光性能的影响,抛光过程机制、以及通过添加谷氨酸,三乙醇胺和其他添加剂来改善和提高CeO2磨料的抛光选择性的研究得到了广泛的重视 [3~7] 。相对而言,在。 硅晶片抛光应用中的研究却很少 [8~10] 在芯片制造技术中使用的研磨粒子必须是细小而均匀的颗粒。因此,以Ce(NO3)3??6H2O和六次亚甲基四胺为原料的均相沉淀法已被应用到分 ??收稿日期:2009-10-28;修订日期:2010-04-07 1??实??验 1.1??CeO2粉体的制备 称取一定量的Ce2(CO3)3??8H2O,溶于一定体 ??基金项目:国家自然科学基金,江西省主要学科学术带头人计划(2007DD00