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第64页/共68页 第65页/共68页 第66页/共68页 注入到p（n）型区中的电子（空穴）会进一步扩散和复合，因此公式给出的实际上是耗尽区边界处的非平衡少数载流子浓度。 上述边界条件虽然是根据pn结正偏条件导出的，但是对于反偏情况也是适用的。因而当反偏电压足够高时，从上述两式可见，耗尽区边界处的少数载流子浓度基本为零。 第67页/共68页 pn在反向偏置下， P区的多子空穴受外电场的作用向P区的欧姆接触负电极漂移，同时增强的空间电荷区电场也不断地把N区的少子空穴拉过来； N区的电子受外电场作用向N区的欧姆接触正电极漂移，同时空间电荷区自建电场亦不断地把P区的少子电子拉过来； N区边界xn处的空穴被势垒区的强电场驱向P区，而P区边界-xp处的电子被驱向N区，当这些少数载流子被电场驱走后，内部的少子就来补充，形成反偏下的空穴扩散电流和电子扩散电流。这种情况好象少数载流子不断地被抽向对方，所以称为少数载流子的抽取。 第68页/共68页 * 这两个区域的分界线出现在半导体内的的某个平面位置，NP-PN=0，该分界线被称为冶金结 在空间电荷区的两侧产生了过剩载流子； 通过势垒区进入P区的电子和进入N区的空穴分别在界面（-xp和xn）处积累，从而产生了过剩载流子。这称为正向注入，由于注入的载流子对它进入的区域来说都是少子，所以又称为少子注入。对于注入的少子浓度远小于进入区多子浓度的情况称为小注入。 边界上注入的过剩载流子，不断向体内扩散，经过大约几个扩散长度后，又恢复到了平衡值。 第32页/共68页 第33页/共68页 第34页/共68页 外加偏压时势垒区附近的载流子分布 准费米能级 用准费米能级代替费米能级的位置，给出的是对应的载流子在非平衡态条件下的密度 导带电子准费米能级EFN和价带空穴准费米能级EFP 类似于平衡态非简并半导体的载流子浓度公式： 非平衡态下的载流子浓度可写为： （2.1） （2.2） 第35页/共68页 变换上两式 （2.3） （2.4） （2.5） （2.6） 小注入：由于注入的载流子对它进入的区域来说都是少子，所以又称为少子注入。对于注入的少子浓度远小于进入区多子浓度的情况称为小注入。 第36页/共68页 pn结的零偏、正偏和反偏 考虑小注入情况在视类区域内空穴密度近似等于热平 衡时的空穴密度，其费米能级近似为热平衡状态时的空穴费米能级 第37页/共68页 正向偏压下 第38页/共68页 反向偏压下，在x=xn处的边界处的空穴密度为： 在x=-xp处的边界处的电子密度为： 第39页/共68页 加正向电压、反向电压时的载流子密度和电流密度分布 第40页/共68页 由此，我们可以得出PN结处于正偏和反偏条件时，耗尽区边界处的少数载流子分布 正偏 反偏 第41页/共68页 正偏电流图像 当电流由P区欧姆接触进入时，几乎全部为空穴的漂移电流；空穴在外电场作用下向电源负极漂移； 由于少子浓度远小于多子浓度可以认为这个电流完全由多子空穴携带。 空穴沿x方向进入电子扩散区以后，一部分与N区注入进来的电子不断地复合，其携带的电流转化为电子扩散电流； 第42页/共68页 另一部分未被复合的空穴继沿x方向漂移，到达-xp的空穴电流，通过势垒区； 若忽略势垒区中的载流子产生-复合，则可看成它全部到达了xn处，然后以扩散运动继续向前，在N区中的空穴扩散区内形成空穴扩散流； 在扩散过程中，空穴还与N区漂移过来的电子不断地复合，使空穴扩散电流不断地转化为电子漂移电流； 直到空穴扩散区以外，空穴扩散电流全部转化为电子漂移电流。忽略了少子漂移电流后，电子电流便构成了流出N区欧姆接触的正向电流。 空穴电流与电子电流之间的相互转化，都是通过在扩散区内的复合实现的，因而正向电流实质上是一个复合电流。 第43页/共68页 反偏电流图像 pn在反向偏置下， P区的多子空穴受外电场的作用向P区的欧姆接触负电极漂移，同时增强的空间电荷区电场也不断地把N区的少子空穴拉过来； N区的电子受外电场作用向N区的欧姆接触正电极漂移，同时空间电荷区自建电场亦不断地把P区的少子电子拉过来； N区边界xn处的空穴被势垒区的强电场驱向P区，而P区边界-xp处的电子被驱向N区，当这些少数载流子被电场驱走后，内部的少子就来补充，形成反偏下的空穴扩散电流和电子扩散电流。这种情况好象少数载流子不断地被抽向对方，所以称为少数载流子的抽取。 第44页/共68页 势垒高度和载流子浓度的对应关系?偏压对空间电荷区边界处注入的非平衡载流子浓度的调制?理想pn结电流-电压关系 正偏状态的pn结，正偏电流的大小随正偏电压的增加而指数增加。反偏时趋于饱和 当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后，非平衡载 流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到