光电子技术19.pptVIP

精彩回顾 第1页/共25页 光源 光源可分为自然光源和电光源 光电式传感器对光源的选择因素： 波长、相干性、体积、造价、功率 第2页/共25页 电光源的分类 热光源 气体放电光源 固体发光光源 激光光源 第3页/共25页 热辐射光源 发光原理：热辐射 温度高 辐射能量大 辐射光谱的峰值波长短 白炽灯 1米螺旋形钨丝，蒸发变黑， 加氮气 喇叭形感柱，固定金属部件， 其中的排气管用来把玻壳里 的空气抽走，然后将下端烧 焊密封，灯就不漏气了。 第4页/共25页 制造方便，成本低，线路简单，产量最大，应用最广泛 白炽灯的发明，美国通常归功于爱迪生，英国则归功于斯旺。 在英国，电灯发明百周年纪念于1978年10月举行，而美国则 于一年后的11月举行 澳大利亚政府推出了 一项逐步采用节能荧光照明 设备，以减少温室气体排放 的计划，从2010年开始将禁 止使用白炽灯泡 第5页/共25页 第6页/共25页 第7页/共25页 气体放电光源 　　 发光原理：电流通过气体发光 光谱不连续，光谱与气体的种类及放电条件有关。改变气体的成分、压力、阴极材料和放电电流的大小，可以得到主要在某一光谱范围的辐射源。 第8页/共25页 日光灯、低压汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯是光谱仪器中常用的光源。 第9页/共25页 固体发光光源 发光原理：电场激发固体发光材料发光。器件称为电致发光器件，如发光二极管（LED），半导体电子元件,当电子与空穴复合时能辐射出可见光。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。 第10页/共25页 加正向电压后，从P区注入到N区的空穴 和由N区注入到P区的电子，在PN结附近 数微米内分别与N区的电子和P区的空穴 复合，产生自发辐射的荧光。不同的半 导体材料中电子和空穴所处的能量状态 不同。当电子和空穴复合时释放出的能 量多少不同，释放出的能量越多，则发 出的光的波长越短。 第11页/共25页 电子和空穴复合，所释放的能量Eg等于PN结的禁带宽度（即能量间隙）。所放出的光子能量用hν表示，h为普朗克常数，ν为光的频率。则 普朗克常数h=6.6╳10-34J.s； 光速c=3╳108m/s； Eg的单位为电子伏（eV），1eV=1.6╳10-19J。 第12页/共25页 hc=19.8×10-26m?W?s=12.4×10-7m?eV。 可见光的波长λ近似地认为在7×10-7m以下，所以制作发光二极管的材料，其禁带宽度至少应大于 普通二极管是用锗或硅制造的，这两种材料的禁带宽度Eg分别为0.67eV和1.12eV，显然不能使用。 h c /λ=1.8 eV 第13页/共25页 通常用的砷化镓和磷化镓两种材料固溶体，写作GaAs1-xPx ，x代表磷化镓的比例，当x＞0.35时，可得到Eg≥1.8eV的材料。改变x值还可以决定发光波长，使λ在550～900nm间变化，它已经进入红外区。 第14页/共25页 与此相似的可供制作发光二极管的材料见下表。 材料 波长/nm 材料 波长/nm ZnS 340 CuSe-ZnSe 400～630 SiC 480 ZnxCd1-xTe 590～830 GaP 565,680 GaAs1-xPx 550～900 GaAs 900 InPxAs1-x 910～3150 InP 920 InxGa1-xAs 850～1350 表2-1 LED材料 第15页/共25页 发光二极管的伏安曲线 U/V I/mA -10 -5 0 1 2 GaAsP(红) GaAsP(绿) 发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，但随材料禁带宽度的不同，开启（点燃）电压略有差异。图为砷磷化镓发光二极管的伏安曲线，红色约为1.7V开启，绿色约为2.2V。 注意，图上的横坐标正负值刻度比例不同。一般而言，发光二极管的反向击穿电压大于5V，为了安全起见，使用时反向电压应在5V以下。 第16页/共25页 发光二极管的光谱特性 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 600 700 800 900 1000 GaAsP λp=670nm λp=655nm GaAsP λp=565nm GaP λ/nm 相对灵敏度 砷磷化镓的曲线有两根，这是因为其材质成分稍有差异而得到不同的峰值波长λp 。除峰值波长λp决定发光颜色之外，峰的宽度（用Δλ描述）决定光的色彩纯度，Δλ越小，其光色越纯。 第17页/共25页 发光二极管的发光效率很大程度上取决于有多少光能够逸出二极管表面，因为大多数半导体材料折射率较高，到达二极管表面的光线大部分将被反射回去。发光二极管的发光强度与电