掺锑氧化锡纳米粉体制备和表征经典.pdfVIP

掺锑氧化锡纳米粉体的制备与表征 摘要 本论文简述了锑掺杂氧化锡(简称Aro)纳米粉体的特性、团聚体的 起因与消除、导电机理、制备方法及其应用领域。对制备ATO粉体的方法 进行了改进，并考察了各因素对A1旧纳米粉体粒径和电阻率的影响。本论 文研究的内容和所得成果如下： 在下，通过室温固相法制备AT0前驱体，经煅烧后得到ArO纳米粉体。研究 了掺锑量、煅烧温度和煅烧时间三因素对粉体性能的影响，探讨了部分防 团聚的方法及其对ATO粉体性能的影响，实验结果表明，制备ATO的最佳工 艺条件为：掺锑量为12．3％、煅烧温度为600℃、煅烧时间为2h，并在此条 件下，以司班．80作为表面活性剂，用无水乙醇分散脱水，于87℃干燥前驱 Q·cm。 体时，所得御D粉体的性能较好，其电阻率最低，可达3．36 淀法制备ATo纳米粉体，通过正交实验法研究了掺锑量、盐酸浓度及滴加 时间三因素对产品性能的影响。通过极差分析，得出三因素在实验范围内 mol-L一、滴加时间为 的最佳工艺条件，即掺锑量为12．3％、盐酸浓度为2．5 60 min。在此条件下，进一步考察了分散剂、分散剂用量、滴加方式以及反 应pH值等单因素对ArO粉体性能的影响，结果表明：在偏磷酸钠用量为O．3 1 g、pH值在24之间时，采用共滴定法制得的ATo粉体性能较好，其电阻率 可达4．5Q·cm。 (3)运用傅立叶红外吸收光谱(瓜)、X．射线衍射(Ⅺm)、透射电子 显微镜(TEM)、比表面仪(BET)测试方法分别对两种不同制备方法制得 的ATO粉体进行了表征，确定了它们的平均粒径。结果表明，两种方法制 备的ArO粉体颗粒均较小，且粒度均匀，粒径在lO衄左右。虽然两种方法 制备的朋的粉体的粒径均较小，但是采用室温固相法，更有利于Sb3+和Sn4+ 的沉淀，而且制得的A1℃纳米粉体的导电性更好；另外，由于室温固相法 使用的设备简单、易于操作，且成本低、污染小，因而用此方法来制备ATO 粉体更有应用价值。 关键词：ATO室温固相法化学共沉淀法粒径导电性能表征 Ⅱ PREPARATIONANDCHARACTERIZATIoNoFATO NANOPOWDER ABSTRACT hlthis mebasisofin仃oductionon tinoxide paper，on Amtimonydoped as me (represented ATO)powder'includiIlg mechaIlismand measm．es，conductive preVeming蜒箔lomeration mechanism， and memodsand metlloedsofATO preparation field，廿le applicationpreparing were i11fluenceofVariousfactors powder on sizeand impr0Ve．The particle ATowaS content