均匀分布的恒定电流从介质1流到介质2.PPT

由于恒定电流场容易实现且便于测量，可用边界条件与静电场相同的电流场来研究静电场的特性，这种方法称为静电比拟。 利用两种场方程，可以求出两个电极之间的电阻及电导与电容的关系为 若已知两电极之间的电容，根据上述两式，即可求得两电极间的电阻及电导。 已知面积为 S ，间距为 d 的平板电容器的电容 ，若填充的非理想介质的电导率为 ? ，则平板电容器极板间的漏电导为 又知单位长度内同轴线的电容 。那么，若同轴线的填充介质具有的电导率为 ? ，则单位长度内同轴线的漏电导为 常见导体系统的电容 平行板： 其中S：面积，d：距离。 同轴线： 其中L ：长度，a，b：内外导体内外半径 平行双导线： 其中L：长度，D：导线间距，d：导线直径。 同心球： 其中a，b：内外球半径。 孤立导体： 其中a：球半径。 由静电比拟法可行常见导体系统的漏电导 平行板： 其中S：面积，d：距离。 同轴线： 其中L ：长度，a，b：内外导体内外半径 平行双导线： 其中L：长度，D：导线间距，d：导线直径。 同心球： 其中a，b：内外球半径。 孤立导体： 其中a：球半径。 例1 设同轴线的内导体半径为a 、外导体内半径b，其间媒质的电导率为σ，求同轴线单位长度的漏电电导。 解：漏电电流的方向是沿半径方向从内导体到外导体，如令沿轴线方向单位长度从内导体流向外导体电流为I，则媒质内任一点的电流密度和电场为 两导体间的电位差为： 漏电电导为： 例2求半球形电极的接地电阻，参考题4-10 设经引线由O点流入半球形电极的电流为I，则距球心为r处的地中任一点的电流密度为： 则电场强度为： 由于电流沿径向一直流出去，直至无穷远处 所以电极在大地中的电压为： 故得接地电阻为： 同理，全球接地电阻 接地电导 第二种方法就是利用静电比拟法。半球电阻增大一倍。 恒定电流场是无散的。 对于恒定电流场，电流密度也可用一系列曲线表示，电流线的定义与电场线完全相同。同样，可用电流线围成电流管。 电流线方程为 注意，由于恒定电流场为无散场，电流线为闭合曲线。 电流密度通过任一闭合面的通量为零。 可见电流线是连续闭合的，这一特性称为电流连续性原理。 线性非均匀导电介质 线性非均匀导电介质 导电介质中电荷的驰豫时间 对于简单导电介质，由欧姆定律的微分形式可得 由简单导电介质的本构关系可得 电通密度满足如下高斯定律 综合以上方程可得： 均匀导电介质 ? 为驻立电荷的体密度 由此可得体电荷密度满足如下微分方程 [s] 弛豫时间 上式表明，如果导电介质中存在体电荷，那么，体电荷密度将按照指数规律随时间衰减，衰减的快慢程度用驰豫时间表征。驰豫时间与导电介质的介电常数和电导率有关。 几种典型导电介质的驰豫时间 注：对于良导体，驰豫时间几乎为零。 关于导电介质中体电荷密度的讨论 4. 恒定电流场边界条件 已知恒定电流场方程的积分形式为 由此导出边界两侧电流密度的切向和法向分量关系分别为 可见，电流密度的切向分量不连续，但其法向分量连续。 已知 ，那么导电介质中恒定电场的边界条件为 如果媒质1为良导体，媒质2为不良导体，即 ? 1 远大于 ? 2，则 理想导电体表面不可能存在切向电场，因而也不可能存在切向恒定电流。 当电流由理想导电体进出时，电流线总是垂直于理想导电体表面。 折射定律： 界面两侧场矢量的方向关系 讨论：导体1为良导体，导体2为不良导体或绝缘体 即 界面 导体1 导体2 良导体表面内侧，电流法向分量很小，电流近似平行于良导体表面流动。 良导体表面外侧，电场切向分量很小，电场近似垂至于良导体表面。 基本方程 二、判断题（10小题，每小题2分，共20分。对者打√，错者打×） 2．恒定电流场中电流密度的切向分量在介质分界面上保持连续。 （×） 3．恒定电流场中电流密度的法向分量在介质分界面上保持连续。 （√） 2015年考题 A、B卷 2014年考题 A、B卷 2014年考题 A、B卷 5. 导电介质的损耗 在导电介质中，自由电子移动时要与原子晶格发生碰撞，结果产生热耗。 沿电流方向取出一个圆柱体， 如图所示。令圆柱体的端面分别为两个等位面。 在d t 时间内有 d q电荷自左端面移至右端面，那么电场力作的功为 dl U ? J dS 电场损失的功率为 那么，单位体积中的功率损