数物方程第二章分离变量法.pptVIP

解的瀑布图形 * 与t有关 解：令 【例４】求下列定解问题 设　　　满足 解得 满足 * 习题：习题11（1）、（4） * §2.5　固有值问题 常微分方程的本征值问题是由齐次边界条件决定的。 用分离变量法求解偏微分方程的定解问题时，会得到含有参数 些参数称为固有值，其对应的方程解称为固有函数。 的齐次常微分方程和齐次边界条件（或自然边界条件）。这类问题 中的参数依据边界条件只能取某些特定值才会使方程有非零解。这 固有值及固有函数： 一、 * 固有函数系： 在区间 上正交，即 其固有值和固有函数分别为 二、 * 三、 其固有值和固有函数分别为 固有函数系： 在区间 上正交，即 * 固有函数系： 在区间 上正交，即 其固有值和固有函数分别为 四、 * 五、 其固有值和固有函数分别为 固有函数系： 在区间 上正交，即 * 固有函数系： 在区间 　上正交，即 练习：习题14（2）、（4） * 本章小结： 对演化方程：方程与边界条件均为齐次 对稳定场方程：在矩形区域上方程与一对边边界条件均为齐次；圆域上的Laplace方程 用分离变量法 对演化方程：方程为非齐次，边界条件为齐次 用固有函数法 对演化方程：方程与边界条件均为非齐次 做函数变换，边界条件齐次化，得到前两种情形之一。 * 补充习题： 求解薄膜的限定浓度的扩散问题 薄膜厚度为 ，杂质从两面进入薄膜，设单位表面积 下杂质总量为 ，此外不再有杂质进入薄膜。对于较大 的 t 简化所得到的答案。 在半导体扩散工艺中，有的工序是只让硅片表面已有的杂质向硅片内部扩散，但不让新的杂质通过硅片，这就是所谓的限定源扩散。 解：定解问题 * 由于没有新的杂质通过硅片表面，所以是第二类齐次边界条件，因杂质分布在极薄的表层，故 代入初始条件： * * 此定解问题还可以写成： 由于： * 代入边界条件得： * * 练习１　求解两端固定弦的自由振动问题 其中 解为 其中 * 该解所表示的物理过程可以从下面动画图中得到。注意级数解 有无穷多项，计算时取有限项。 * * * 二阶线性常系数常微分方程的通解。 故原问题的解为 小结：对矩形域上拉普拉斯方程，只要一组边界条件 是齐次的，则可使用分离变量法求解。 图形如下： （程序：my2） * (a) 精确解图 (b) 瀑布图 * 【例2】求解下列问题 特点：边界条件 均非齐次 让 和 分别满足拉普拉斯方程,并各有 一组齐次边界条件，即 则 ，而上面两个定解 问题分别用例1的方法求解。 称为定解问题的分拆。 * 【例题3】带电的云跟大地之间的静电场近似是匀强的，水平架设的输电线处在这个静电场之中，导线看成圆柱型，求导线外电场的电势。 【解】先将物理问题表为定解问题。取圆柱的轴为z轴 ， 物理问题与Z轴无关。圆柱面在平面的剖口是圆 柱外的空间中没有电荷，故满足拉普拉斯方程 （在柱外） 可以看出，边界条件无法分离变量，只能另辟蹊径。 在极坐标下研究该问题，在极坐标下，上述问题可表示成 2 圆形区域问题 * 设分离变数形式的试探解为 代入拉普拉斯方程，得 令 此条件是根据电学原理加上的 移项、整理后得： * 分离为两个常微分方程 （ 自然边界条件，附加） 得固有值和固有函数为 和 固有值问题 解得 * 将本征值代入常微分方程，得到欧拉型常微分方程 作代换 则 ，方程化为 ： 于是通解是 解得 即 * 一个傅里叶级数等于零,意味着所有傅里叶系数为零,即： 由此得： 由条件 得 * 主要部分是 项,可见在表达式中不应出现高次幂，于是 最后得柱外的静电势为： 由 知 结合前面系数关系，有 习题6、8 * §2.3 非齐次方程的求解 设该问题的解为： 例1 求解有界弦的受迫振动问题（Ⅰ） 我们已经知道，对应齐次问题的固有函数系为 又设 因 已知，所以 固有函数展开法（又称傅立叶级数法） * 代入非齐次方程和初始条件得： 用Laplace变换求解得： ∴ 方法总结：将未知函数和非齐次项按照对应的齐次问题的固有函数展开，其展开系