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51单片机AT89C52中文资料 51单片机AT89C52中文资料AT89C52 ATMEL公司生产的低电压，高性能CMOS 8位单片机.片内含8K byTES的可反复擦写的只读程序存储器(PEROM)和256 byTES。的随机存取数据存储器(RAM)，器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，与标准MCS-51指令系统及8052产品引脚兼容，片内置通用8位中央处理器(CPU)和FLASH由存储单元，功能强大AT89C52单片适用于许多较为复杂控制应用场合。主要性能参数： 与Mcs-51产品指令和引脚完全兼容。 8字节可重擦写FLASH闪速存储器 1000次擦写周期 全静态操作：0HZ-24MHZ 三级加密程序存储器 256X8字节内部RAM 32个可编程I/0口线 3个16位定时/计数器 8个中断源 可编程串行UART通道 低功耗空闲和掉电模式内部结构图AT89C52内部框图 功能特性： AT89C52提供以下标准功能：8字节FLASH闪速存储器，256字竹内部RAM,32个I/O口线，3个16位定时/计数器，一个6向量两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。同时，AT89c52可降至OHz的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电上作模式。空闲方式停止CPU的工作，但允许RAM，定时/计数器.串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM中的内容，但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位.功能引脚说明： Vcc：电源电压 GND：地 P0：P0口是一组8位漏极开路型双向1/O口，也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时.每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路，对端口P0写1时，可作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。 在FLASH由编程时，P0口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。 P1口：PI是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口，Pl的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写1，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流IIL与AT89C51不同之处是，Pl.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部计数输入(Pl.0/T2)和输入(P1.1/T2EX),参见表1FLASH编程和程序校验期间，Pl接收低8位地址。 表1 PI.O和PI.l的第二功能 口：P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑电路。对端口P2写l，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(llt)。 在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOvx@DPTR指令)时，P2送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器、如执行MOVX@RI指令)时，P2口输出P2锁存器的内容。 FLASH编程或校验时，P2亦接收高位地址和一些控制信号。·P3口：P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对P3口写入1时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流(IIL). P3口除了作为一般的I/0口线外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： 端口引脚第二功能 P3.0RXD(串行输入口〕 P3.1TXD(串行输出口〕 P3.2INTO(外中断0〕 P3.3INTO(外中断l) P3.4TO(定时/计数器0) P3.5Tl(定时/计数器l) P3.6WR(外部数据存储器写选通) P3.7RD(外部数据存储器读选通) 此外，P3口还接收一些用于FLASH闪速存储器编程和程序校验的控制信号。RST：复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。·ALE/PROG：当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节.一般情况下，ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。 对Flash存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。 如有必要，可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位.可禁止ALE操作。该位置位后，只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活,此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置