IS61LV25616AL英文数据手册.pdfVIP

广州周立功单片机发展有限公司 Tel 02038730977 Faxhttp // IS61LV25616AL 特性 高速访问时间 10,12ns CMOS 低功耗工作 低等待模式功率 小于CMOS 5mA 典型值 的等待电流 TTL 兼容接口电平 单个3.3V 电源 完全静态操作 无需时钟和刷新 三态输出 高低字节数据控制 可用的工业级温度 描述 ISSIIS61LV25616AL 是一个高速 4,194,304 位的静态RAM 可组成262,144 个字 16 位 该器件由 ISSI 的高性能CMOS 技术制造而成 将这种高可靠性的处理技术与创新的电路设计技术相结合 就产生了 高性能和低功耗的IS61LV25616AL 器件 当OE 为高电平 不选 时 器件处于等待模式 功耗随着CMOS 输入电平一起降低 芯片使能输入CE 和输出使能输入OE 可方便实现存储器的扩展 低电平有效的写使能 WE 控制着 存储器的写和读操作 高字节 UB 和低字节 LB 控制信号