上海交通大学物理实验报告（大二上）硅光电池特性的研究1.pdfVIP

实 验验 报 告告 姓 名：汤博博 班 级：F0703028 学 号：50703309028 实实验成绩： 同组组姓名： 无无 实验验 日期：2008-10-12 指导老老师：助教 29 批批阅日期： 硅光 电电池特性的研究 【实实验目的】 1. 了解硅光电电池的工作原原理及其应用。 2. 研究硅光 电电池的主要参参数和基本特性。 【实实验原理】 硅光光电池的照照度特性 1. 硅光 电电池的短路 电电流与照度关系 当光照射硅硅光电池时，将产生一个 由 N 区流向向 P 区的光生生电流I ，同同时由于 PN 结二 极管管的特性，存存在正向二极极管管电流ID 。。此电流方向向从 P 区到 N 区，与光光生电流相反 ，因 此实实际获得电流流 I 为 1 式中 V 为结结电压，I 为二二极管反向饱饱和电流，I 是与入射光光的强度成正正比的光生电流， 其比比例系数与负负载电阻大小小以及硅光 电电池的 结构构和材料特性性有关。n 为理理想系数是表表示 PN 结特特性的参数，通常在 1-2 之间，q 为电子电 荷，kB 为波尔茨茨曼常数，T 为绝对温度。在一 定照照度下，光 电电池被短路（负载电阻为零零 ）则 V = 0 由（1 ）式式可得到短路路 电流 1 硅光电池短路电流与照度特性见图 1。 2. 硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I = 0 ， 由上两式可得开路电压 1 硅光电池开路电压与照度特性见图 1。 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载 R 时，硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它 的伏安特性见图 2。由图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图 2 可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流I ，在电压轴 上的截距即为开路电压V 。 实验电路图 2 【实验数据记录、实验结果计算】 1、硅光电池的照度特性实验 (1) 开路电压与照度的关系 照度 1565 1284 860 713 587 452 382 301 241 U(v) 0.35 0.35 0.34 0.33 0.33 0.32 0.32 0.31 0.31 照度 201 181 165 128 99 72 56 39 26 U(v) 0.30 0.30 0.29 0.29 0.28 0.27 0.26 0.25 0.23 (2) 短路电流与照度的关系 照度 1086 625 311 189