《现代电子电路基础》第02章 半导体器件的特性.ppt

* School of Physics, Peking University 第二章 No.* ②、微变等效电路(small signal model) uD iD 0 各模型适用范围： UiUD时，使用理想模型； 考虑二极管影响时，使用恒压降模型（常用）或折线模型； 当外加信号幅度动态范围较小时，使用微变等效电路。 只考虑二极管两端的电压在某一固定值附近作微小变化时引起的电流变化，可用曲线在该固定值处的切线来近似表示这一小段曲线，而将二极管等效成一个微变等效电阻rd。 即： 等效 a b a rd b 微变等效电路 * School of Physics, Peking University 第二章 No.* 5、应用 利用二极管的单向导电性，可对信号进行限幅处理，实现整流、检波等功能。 R ui D uo ui uo ⑴、整流电路 整流电路的作用是将交流电压变成直流电压，常用于直流稳压电源中。 半波整流电路 * School of Physics, Peking University 第二章 No.* 另外，利用二极管的其它特性，还能完成一些特殊功能。如稳压二极管（Zener diode，反向电击穿时管压降不变）、光电二极管（photoelectric diode，受光照导电能力剧变）、发光二极管（light-emitting diode，激发的自由电子回到基态会产生辐射）、变容二极管（varactor diode，PN结电容会因外加电压的变化而改变），等等。 限幅电路 R ui D uo ui uo ⑵、限幅电路：限制电压，起保护作用 UR UR * School of Physics, Peking University 第二章 No.* -UZ 6、稳压二极管 ⑴、特性 稳压二极管简称稳压管，正常工作在反向击穿状态。其反向击穿曲线非常陡峭，击穿时管压降几乎不随电流的变化而变化。 ⑵、主要参数 uD iD 0 符号 伏安特性 稳压电压UZ：是稳压管工作在反向击穿时的稳定工作电压； 稳定电流IZ：是稳压管工作在稳压状态时的参考电流值，有一定的 取值范围，即IZmin~IZmax，小于IZmin时稳压效果变坏， 大于IZmax时管子容易烧毁； 动态电阻rZ： 稳压管稳压工作时可以用折线模型等效。 DZ * School of Physics, Peking University 第二章 No.* ⑶、稳压管稳压电路 并联型稳压电路，R为限流电阻。 稳压原理： 当UI变化、负载不变时： R UI DZ I UO RL IO IZ UI UO IZ、 IO I R UO=UI-IR 当UI不变、负载变化时： RL IZ I 几乎不变 UO基本不变 IO 为了让稳压管安全的工作在稳压状态，必须选取合适的R值。 * School of Physics, Peking University 第二章 No.* 例：稳压电路如图。已知US=12V，RL=600Ω，查手册知稳压管2CW14参数如下：UZ=7.5V，IZmin=10mA，额定功率PZM=250mW，rZ≤10Ω，估算限流电阻R的取值范围。 R US DZ RL 2CW14 解：忽略rZ， IRL不变。 当IZ=IZmin时，R值最大，有 当IZ=IZmax时，R值最小，有 其中 、 ，代入数值可得 98Ω≤ R ≤200Ω * School of Physics, Peking University 第二章 No.* §2.3　双极型晶体管（BJT：bipolar junction transistor） 一、结构特点 双极型晶体管又称晶体三极管(semiconductor triode)或晶体管(transistor)，可以近似看作两个二极管背靠背组合而成，它包含两个PN结。 发射极 (Emitter) 用E或e表示 基极(Base) 用B或b表示 集电极 (Collector) 用C或c表示 发射结(Je) 集电结(Jc) 发射区：掺杂浓度高 基区：掺杂浓度低，很薄(μm量级) 集电区：中度掺杂，面积较大 e b c N P N型硅衬底 * School of Physics, Peking University 第二章 No.* 根据各区性质不同，三极管分为PNP型和NPN型两种。 结构 符号 PNP型 NPN型 e b c P P N e b c N N P b e c b e c * School of Physics, Peking University 第二章 No.* 二、工作原理 要使三极管正常工作（