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半导体晶体管 半导体制程 《半導體製造流程》 半導體元件製造過程可概分為晶圓處理製程（Wafer Fabrication；簡稱 Wafer Fab）、晶圓針測製程（Wafer Probe）、構裝（Packaging）、測試製程（Initial Test and Final Test）等幾個步驟。一般稱晶圓處理製程與晶圓針測製程為前段（Front End）製程，而構裝、測試製程為後段（Back End）製程。半導體元件製造過程可示意 如下圖： CheckBox1 一、晶圓處理製程 晶圓處理製程之主要工作為在矽晶圓上製作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各製程中所需技術最複雜且資金投入最多的過程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達數百道，而其所需加工機台先進且昂貴，動輒數千萬一台，其所需製造環境為為一溫度、濕度與 含塵量（Particle）均需控制的無塵室（Clean-Room），雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適 當的清洗（Cleaning）之後，接著進行氧化（Oxidation）及沈積，最後進行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與製作。 二、晶圓針測製程 經過Wafer Fab之製程後，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆製作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 上製作不同規格的產品；這些晶圓必須通過晶片允收測試，晶粒將會一一經過針測（Probe）儀器以測試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會被標上記號（Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測製程（Wafer Probe）。然後晶圓將依晶粒 為單位分割成一粒粒獨立的晶粒，接著晶粒將依其電氣特性分類（Sort）並分入不同的倉（Die Bank），而不合格的晶粒將於下一個製程中丟棄。 三、IC構裝製程 IC構裝製程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路（Integrated Circuit；簡稱IC），此製程的目的是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最後整個積體電路的周圍會 向 外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。 四、測試製程 半導體製造最後一個製程為測試，測試製程可分成初步測試與最終測試，其主要目的除了為保證顧客所要的貨無缺點外，也將依規格劃分IC的等級。在 初步測試階段，包裝後的晶粒將會被置於各種環境下測試其電氣特性，例如消耗功率、速度、電壓容忍度〃〃〃等。測試後的IC將會將會依其電氣特性劃分 等級而置入不同的Bin中（此過程稱之為Bin Splits），最後因應顧客之需求規格 ，於相對應的Bin中取出部份IC做特殊的測試及燒機（Burn-In），此即為最終測試。最終測試的成品將被貼上規格標籤（Brand）並加以包裝而後交與顧客。未 通過的測試的產品將被降級（Downgrading）或丟棄。 《晶柱成長製程》 矽晶柱的長成，首先需要將純度相當高的矽礦放入熔爐中，並加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的矽晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化後再長成單晶的矽晶柱，以下將對所有晶柱長成製程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放於石英坩鍋內的塊狀複晶矽加熱製高於攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化複晶矽，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。 頸部成長（Neck Growth） 當矽融漿的溫度穩定之後，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉昇，並使直徑縮小到一定（約6mm），維持此直徑並拉長10-20cm，以消除晶種內的排差（dislocation），此種零排差（dislocation-free）的控制主要為將排差侷限在頸部的成長。 晶冠成長（Crown Growth） 長完頸部後，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 晶體成長（Body Growth） 利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，於是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業界面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現象產生。 尾部成長（Tail Growth） 當