氢气对石墨烯CVD发展的影响机制研究.pdfVIP

Influence Mechanism of Hydrogen in the CVD Growth of Graphene A Thesis Submitted to Chongqing University in Partial Fulfillment of the Requirement for the Master’s Degree of Science By Yan Jin Supervised by Associate Prof. Baoshan Hu Specialty: Chemistry School of Chemistry and Chemical Engineering of Chongqing University, Chongqing, China April, 2015 中文摘要 摘 要 石墨烯以其优异的性质展现出广阔的应用前景，已经成为最热点的研究领域 之一。高质量的石墨烯制备成为材料性质研究和新应用开发的重要基础。以过渡 金属为生长基底、含碳物质为原料、惰性气体及氢气为辅助气氛的化学气相沉积 法是实现石墨烯的可控制备最有潜力的方法之一。其中，关于氢气在石墨烯生长 各阶段的作用，尤其是对碳原子在金属内部的溶解和析出行为的影响规律，是石 墨烯控制制备亟待解决的关键课题之一。此方面的系统研究尚少。 本课题的研究内容之一是研究氢气在化学气相沉积各单元步骤中对催化金属 及石墨烯生长的影响规律。研究首先用原子力显微镜 （AFM ）、扫描电子显微镜 （SEM）、电子背散射衍射 （EBSD ）和拉曼光谱仪 （Raman spectroscopy）等表征 手段，比较了在生长阶段引入H2 与否的两种模式下的铜箔的表面形貌和结晶取向， 以及石墨烯随CVD 反应时间的生长演变过程三个方面的差异。结果显示：在生长 阶段不通入 H2 会使铜箔表面具有更多的皱褶、更小的铜晶粒尺寸、更多的晶界， 以及更快的石墨烯生长速率。在生长阶段不通入H2 气体的情况下，利用常压化学 气相沉积 （CVD ）在铜箔表面合成了单层石墨烯。截面TEM、HR-TEM、SAED、 以及方块电阻值710 Ω sq-1 都表明了石墨烯具有极高的结晶质量。为了进一步阐明 H2 的作用，我们设计在CVD 反应 （如升温、退火、生长和降温阶段）的单独阶段 或者多个阶段分别通入 H2 进行石墨烯生长分析。结果表明：在生长阶段 H2 的参 与是高质量石墨烯生长的关键因素。结合氢分析仪等表征手段，我们证实了 CH4 高温分解出的H2 不能辅助生长高质量石墨烯，而在升温或者退火阶段储存在铜金 属内部的H2 可以在生长阶段释放出来促进石墨烯的生长。 本课题的研究内容之二是研究石墨烯初期形核密度和生长速率的影响规律。 利用磁控溅射技术在c-plane sapphire(0001) 衬底均匀溅射了一定厚度的Cu(111) 晶 面的铜膜，并通过CVD 法常压合成了石墨烯，利用光学显微镜和拉曼光谱对退火 处理后的铜膜和转移的石墨烯进行了表征。结果发现铜膜和石墨烯质量较高。通 过对石墨烯岛的动力学影响研究，发现氢气流量过低不利于降低石墨烯岛的成核 密度，而氢气流量过多对石墨烯岛的刻蚀速率快于石墨烯岛的生长速率，严重刻 蚀了石墨烯岛的边缘。设计利用 “两段法”分别控制石墨烯的形核和生长，有效 降低了石墨烯岛的成核密度，合成了形状更加规则的离散石墨烯岛。 本课题的研究内容之三是研究氢气对石墨烯CVD 生长过程中碳的溶解和析出 两个过程的影响规律。研究选择具有不同碳溶解度的铜和钴两种金属作为生长基 底，利用甲烷作为碳源，在大气压条件下生长石墨烯。研究在退火阶段预溶解的 I 重庆大学硕士学位论文 H 以及生长阶