应用mBJ_LDA第一性原理对Heusler半金属Cr2VSb和Cr2TiSb的电子结构的研究课件.pptxVIP

应用mBJ+LDA第一性原理对Heusler半金属Cr2VSb和Cr2TiSb的电子结构的研究一、研究的目的及意义Heusler半金属材料理论上其费米能级处的电子只有单一的自旋方向，即100%的自旋极化，在自旋电子学领域具有非常重要的科学意义和应用前景 。由于“半金属”这个概念是在能带结构的计算中发现的，因此，从理论计算上预言半金属材料始终是此领域的一个主要研究方法。本文主要应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法，计算了Heusler合金Cr2VSb和Cr2TiSb的能带结构和态密度，在计算中分别采用了局域密度近似LDA(Local Density Approximation)、广义梯度近似GGA(Generalized Gradient Approximation)和mBJ+LDA(modified Becke-Johnson+LDA)三种对交换关联不同的处理方法。通过对其电子结构计算结果的分析，获得了mBJ+LDA计算方法在半金属化合物的电子结构上所体现的主要特征。二、理论计算方法密度泛函理论(DFT)要确定一个系统的量子力学本征态，原则上需要求解多粒子体系的薛定谔方程，此多体系统的哈密顿可以表示为：由于多粒子系统的薛定谔方程非常复杂，必须做一定的简化才能求解。电子密度泛函理论(density functional theory, DFT)是将粒子数密度作为体系基态唯一