高介高稳定性YP陶瓷电容器材料介电性能的研究 毕业设计(论文).docVIP

高介高稳定性Y5P陶瓷电容器材料介电性能的研究 摘 要 BaTiO3基陶瓷电容器是一类用途广泛的Ⅱ类陶瓷电容器，即低频高介陶瓷电容器。由于其本身具有高介电常数、绝缘特性，并可以通过元素掺杂改性达到美国电子工业协会（EIA）标准Y5P△C/C≤10%）与X7R、X8R、Y5V等陶瓷电容器的要求，而成为各国材料科研人员的研究热点。以BaTiO3-Nb2O5-Co3O4(BTNC)陶瓷系统为研究对象，研究添加不同掺杂物BiTi3O12（BIT）、Bi0.5Na0.5TiO3（NBT）、CaCu3Ti4O12(CCTO)对系统介电性能的影响。通过添加适量的掺杂物，达到提高系统介电常数和温度稳定性的目的。实验结果表明： BIT掺杂量为6.0wt%(质量比)，烧结温度为1260℃的BTNC基陶瓷，其介电常数最高可达3000，温度稳定性△C/C≤15%； NBT掺杂量为2.4at%（物质的量比），烧结温度为1260℃的BTNC基陶瓷，其介电常数最高为2850，温度稳定性可以达到△C/C≤10%；在1130℃下烧结，掺杂2.0at% CCTO的BTNC基陶瓷，在室温到85℃范围内，介电常数可达到2800以上，温度稳定性△C/C≤5%。 Investigation of Dielectric Properties of Y5P Ceramic Capacitors with High?Temper