薄膜物理与技术精品课件（史鹏）CH4-3 Magnetic.pptVIP

4.3.1 物质的磁性与磁滞回线 4.3.2 磁性的分类及相关磁效应 4.3.3 超导性 4.3.4 磁畴及磁性测量技术 4.3.5 多铁性薄膜的研究简述 磁性是物质的基本属性 材料磁性的起源 原子磁矩 什么是 “磁性” 不仅仅是：Magnetic Property of … 磁 性 磁有序的起源：交换相互作用 磁电阻效应 4.3.3. 超导性 补充:两类新型超导体 C60：有较大的发展潜力，由于它弹性较大，比质地脆硬的氧化物陶瓷易于加工成型，而且它的临界电流、临界磁场和相干长度均较大，这些特点使C60超导体更有望实用化。 C60被誉为21世纪新材料的”明星”，这种材料已展现了机械、光、电、磁、化学等多方面的新奇特性和应用前景。有人预言巨型C240、C540合成如能实现，还可能成为室温超导体。　 MgB2：二硼化镁（MgB2），其超导转变温度达39K。二硼化镁的发现为研究新一类具有简单组成和结构的高温超导体找到新途径。 易合成和加工，容易制成薄膜或线材。可应用于电力传输、超级电子计算机器件以及CT扫描成像仪等方面。二硼化镁的发现使世界凝聚态物理学界为之兴奋。 4.3.3.3 超导的主要性质 1.完全导电性：零电阻效应 超导体与理想导体的差异 4.3.3.4 两种不同类型的超导体 根据抗磁特性的不同，分为如下两类： 4.3.4 磁畴及磁性测量 4.3.4.1 磁畴和畴壁运动 4.3.4.2 磁性信号的测量仪器 冲 击 法 冲击法的使用 教学演示实验：电磁感应定律 SQUID是Superconducting quantum interference device的缩写。 在世界传感器市场上，目前主要有两种量子传感器，即SQUID传感器和量子霍尔传感器（quantum Hall sensor）。 本节结束 此时要想使磁畴边界远离位错就需要较大的外磁场 * * 顺磁质中在外场的作用下也会产生感生磁矩，但由于它要比固有磁矩小到5个数量级以下，故可忽略。 说明:顺磁质中分子磁矩在正常情况下有一定的固有磁矩。无外磁场时，分子磁矩的排列杂乱无章；有外磁场时，分子磁矩沿外磁场方向排列，产生与原磁场同向的附加磁场.（合磁场略比原磁场大）。 铁磁质是特殊的顺磁质，其原子内的电子间还存在特殊的相互作用使它们具有很强磁性的磁畴,在外磁场作用下磁畴排列起来。 超交换作用:以隔在中间的非磁性离子为媒介来实现的。 磁畴壁中原子自旋方向逐渐旋转，经过几百原子间距后磁矩旋转了180?。相邻原子自旋之间的相互作用力对二者之间的相对旋转并没有多大贡献。 4. Bloch畴壁的厚度及畴壁能 Fe: 畴壁厚度约为70nm，230个原子层 畴壁厚度是交互作用能与各向异性能之间的一个折衷—前者需要较大的畴壁厚度，而后者则希望畴壁厚度小一些。最佳（平衡）畴壁厚度应使两种能量之和最小，即畴壁总势能最小。 Uwall最小时，畴壁厚度 交互作用 各项异性作用 ?24 [111] ?46 [100] 5 100; cube edge 111; cube diagonal 50 FCC Ni 450 ^ to c axis // to c axis 120 HCP Co ?20 [111] 20 [100] 48 111; cube diagonal 100; cube edge 90 BCC Fe λsat (× 10?6 ) K (mJ cm?3) Hard Easy Eex ≈ kTC (meV) Crystal Material 交互作用能、磁晶体各向异性能K和饱和磁滞伸缩系数?sat 5. Bloch畴壁的运动 当磁畴壁向位错靠近时，张应变和压应变相互抵消，结果晶格不再受力因此具有较小的应变能，这种能量最低的稳定排列使磁畴边界靠近位错。 杂质对畴壁的“钉扎”效应 当磁畴壁与杂质相交并且杂质周围有两个相邻的磁畴那么静磁能将会减小 畴壁运动的整个运动过程是不可逆的，而且运动中能量以热量的形式释放到晶体中。 压应变位错对张应变畴壁的吸引 封闭畴 样品端面上出现了三角形磁畴，封闭了主畴的两端。 形成机制： 前面讨论片状磁畴磁畴时涉及到表面出现了交替磁极。可以设想这些磁极的附近会产生局部磁场（如图）使这些区域发生新的磁化，磁化的方向在局部磁场方向，这样就形成了封闭畴。 D D D/2 D/2 N N S 退磁场能为零。但同时增加了封闭畴的磁晶各向异性能。 均匀铁磁体的磁畴结构 介绍 树枝状畴 在一些立方单晶材料的表面，有时会出现从畴壁界线出发，向两边主畴作斜线伸展的一种附加畴—树枝状畴。 产生原因： 两个主畴的Ms与样品表面不平行，有一微小的倾角，这样在表面就会出现磁极，使接近表面区产生退磁场