薄膜物理与技术精品课件（史鹏）CH5-1 MEMS.pptVIP

How does this make? * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 微型电磁马达 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 Electrostatic Motors 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 研究生系列课程-半导体微纳加工技术 Hydraulic actuators 微镊子 微型光学元件 微型光学元件 MEMS微型电感: 生物微机电系统(BioMEMS): AlN薄膜体波谐振器(FBAR): AlN薄膜体波谐振器(FBAR)在通讯上的应用: 薄膜体波谐振器(FBAR)在生物检测上的应用: 热释电红外探测器: 器件结构原理图 单元结构 器件近场图 红外敏感特性 Ryu, Cho, J. MEMS,15(2005)104 MEMS压电微型扬声器: 感谢大家这学期的努力和陪伴。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * 干法刻蚀: 掩膜材料 光刻胶较好 Oxides 和 某些metals 也不错 掩膜材料 SF6 CHF3 CF4 O2 N2 Resist +/- +/- +/- - + CFx + + + + - Si - +- - + + SiO2 +/- - +/- + + Si3N4 +/- - +/- + + Al/Al2O3 + + + + + W - - - + + Au + + + + + Ti - - - + + 深度反应离子刻蚀 深度反应离子的定义 深度反应离子刻蚀(DRIE, Deep Reactive Ion Etching)又叫高 密度等离子刻蚀或感应耦合等离子刻蚀(ICP, Inductively Coupled Plasma)： 它将等离子的产生和自偏压的产生分别用两个独立的射频 源进行，有效避免了RIE刻蚀中射频功率和等离子密度之间 的矛盾； 它采用刻蚀和钝化交替进行的Bosch工艺以实现对侧壁的保 护，能够实现可控的侧向刻蚀，可以制作出陡直或其它倾斜 角度的侧壁； 它的出现，对MEMS技术的发展是一个巨大的推动 目前著名的ICP厂商为英国的STS和法国的Alcatel 深度反应离子刻蚀 垂直侧壁 倒金字塔侧壁 深度反应离子刻蚀 Bosch工艺 深度反应离子刻蚀 反应气体：C4F8 C4F8在等离子氛围内产 生CF2活性自由基，CF2 活性自由基再沟槽侧壁 与底部淀积形成钝化 层。由于自由基是电中 性的，不受到暗区电场 的加速，没有方向性， 所以钝化膜的淀积在沟 槽底部和侧壁都是均匀 的 Bosch工艺-钝化原理 钝化时关闭Platen Power 深度反应离子刻蚀 Bosch工艺-刻蚀原理(1) 反应气体：SF6/O2 SF6在等离子氛围内产生 SxFy离子和F活性自由 基。SxFy离子轰击沟槽 侧壁与底部的钝化层 刻蚀时打开Platen Power 深度反应离子刻蚀 反应气体：SF6/O2 由于暗区电场的加速作 用，离子在垂直方向上比 在水平方向上占优，首先 将沟槽底部的钝化膜打 穿，而这时候沟槽侧壁上 尚留有一层厚度小于初始 厚度的钝化膜，此时F与 硅反应生成挥发性产物 SiFx ，实现对沟槽底部的 刻蚀，直至侧壁的钝化膜 消耗完毕再开始新的循环 Bosch工艺-刻蚀原理(2) 刻蚀时打开Platen Power 深度反应离子刻蚀 反应气体：SF6/O2 Bosch工艺-刻蚀原理(3) 刻蚀过程中加入氧气的作 用是和反应产物SiFx生成 钝化保护膜淀积在侧壁上 保护侧壁 O + SiF4 = SiOx Fy 刻蚀时打开Platen Power BOSCH ICP (PLASMA THERM) The Bosch process uses two chemistries, one to generate polymers and the other to etch silicon. The etc