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ch11年结晶4
固体有结晶和无定形两种状态
结晶:析出速度慢,溶质分子有足够时间进行排列,粒子排列有规则
无定形固体:析出速度快,粒子排列无规则 ;二、结晶操作的特点;三、结晶过程分析;四、凯尔文(Kelvin)公式;五、结晶过程的实质;六、温度与溶解度的关系;七、饱和曲线和过饱和曲线;不稳定区:;八、晶核的形成和晶体的生成;晶核的成核速度;晶核的形成是一个新相产生的过程,需要消耗一定的能量才能形成固液界面;
结晶过程中,体系总的自由能变化分为两部分,即:表面过剩吉布斯自由能(ΔGs)和体积过剩吉布斯自由能( ΔGv)
晶核的形成必须满足:
ΔG= ΔGs+ ΔGv0
通常ΔGs0,阻碍晶核形成; ΔGv0;影响晶体生长速度的因素;九、结晶的步骤;十、影响溶液过饱和度的因素;1、热饱和溶液冷却(等溶剂结晶)
适用于溶解度随温度升高而增加的体系;同时,溶解度随温度变化的幅度要适中;
自然冷却、间壁冷却(冷却剂与溶液隔开)、直接接触冷却(在溶液中通入冷却剂);2、部分溶剂蒸发法(等温结晶法)
适用于溶解度随温度降低变化不大的体系,或随温度升高溶解度降低的体系;
加压、减压或常压蒸馏;3、真空蒸发冷却法
使溶剂在真空下迅速蒸发,并结合绝热冷却,是结合冷却和部分溶剂蒸发两种方法的一种结晶方法。
设备简单、操作稳定;4、化学反应结晶
加入反应剂产生新物质,当该新物质的溶解度超过饱和溶解度时,即有晶体析出;
其方法的实质是利用化学反应,对待结晶的物质进行修饰,一方面可以调节其溶解特性,同时也可以进行适当的保护;;5、盐析法;常用的工业起晶方法;晶种起晶法:将溶液蒸发后冷却至亚稳定区的较低浓度,加入一定量和一定大小的晶种,使溶质在晶种表面生长。
该方法容易控制、所得晶体形状大小均较理想,是一种常用的工业起晶方法。
;晶种控制;晶体纯度计算;晶体大小分布;提高晶体质量的方法;晶体结块;重结晶;重结晶的操作过程;本章小结:
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