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04中山大学陈开汉532nm激光刻槽隔离晶体硅太阳电池的实验的研究20110704

532nm激光刻槽隔离晶体硅太阳电池的实验研究中山大学太阳能系统研究所陈开汉叶子锐沈辉中山大学太阳能系统研究所主要内容  一、实验目的  二、实验方案与表征手段  三、实验结果与分析  四、批量实验的结果  五、全文总结中山大学太阳能系统研究所一、实验目的 1，利用532nm激光器在晶体硅太阳电池上表面开槽，切断 p-n结连接，使得开槽包围的区域与主体太阳电池隔离开。 2，工艺目标是：刻槽深度≤30um，光诱导电流≤10uA （未隔离区域约130uA）中山大学太阳能系统研究所二、实验方案与表征手段 2.1 激光器的参数激光器型号为DRACO-51D30，各项性能参数如下：波长：532nm Nd:YVO4激光晶体最大激光功率≥11W 调制频率：10～200kHz 脉宽：15～60ns 泵浦二极管电流：15～34A 中山大学太阳能系统研究所 2.2 实验方案改变532nm激光器的三个参数——Q频、电流、打标速度，在单晶硅太阳电池上刻画闭合矩形，摸索刻槽隔离的规律。设置打标速度：10～100mm/s，每隔 10mm/s进行实验。设置Q频：10kHz、15kHz、20kHz 。设置电流：20～30A，每隔1A进行实验。图1 激光器参数设置界面中山大学太阳能系统研究所 2.3 表征手段（1）Veeco wyko NT9000轮廓仪观察激光刻槽的表面形貌并测量刻槽深度。（2 ）SEMILAB WT-2000 光诱导电流（LBIC）测量，评估刻槽的隔离效果。中山大学太阳能系统研究所三、实验结果与分析 3.1 激光器的平均功率及单脉冲能量与电流的关系利用功率计，测定激光器的平均功率及单脉冲能量与Q频、电流的关系。图2 激光器输出功率与Q频电流的关系图3 激光器单脉冲能量与Q频电流的关系中山大学太阳能系统研究所 3.2 激光光斑的重合率与Q频、打标速度的关系利用公式计算激光光斑的重合率与Q频、打标速度的关系如图4所示。其中v为打标速度，f为Q频，d为光斑直径50um 。图4 重合率与Q频、打标速度的关系中山大学太阳能系统研究所 3.3 激光刻槽的表面形貌及深度设定工艺参数为15kHz、25A，改变打标速度，10～100