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5.2锗硅半导体材料 5.2.1锗硅的一般性质 1.锗硅的一般物理和化学性质 锗和硅都是具有灰色金属光泽的固体，硬而脆。两者相比，锗的金属性更显著。 锗的室温本征电阻率约为50?·cm，而硅的约为2.3?105?·cm，硅在切割时更易碎裂。 锗和硅的有关物理性质列在表5.2.1中。 锗和硅在空气和常温下化学性质是稳定的，但升高温度时，却很容易同氧、氯等多种物质发生化学反应。 锗不溶于盐酸或稀硫酸，但能溶于热的浓硫酸、浓硝酸、王水以及HF-HNO3中。对大多数酸来说，硅比锗更稳定些。硅不溶于HCl、H2SO4、HNO3及王水；但也很容易被HF-HNO3混合酸所溶解，因而半导体工业中常用此酸作为硅的腐蚀液。 锗与浓碱几乎不起作用，但很容易溶解在H2O2 –NaOH混合液中。硅比锗更容易与碱反应。硅遇到浓碱时，在室温下就能发生反应，因为硅和NaOH或KOH能直接作用生成相应的硅酸盐而溶于水。 硅与金属作用能生成很多硅化物（如TiSi2、WSi2、MoSi2等）。这些硅化物具有导电良好、耐高温、抗电迁移等特性。 硅材料分为多晶硅、单晶硅和非晶硅，单晶硅分为直拉单晶硅、区熔单晶硅和外延单晶硅片。其中，直拉单晶硅的特点是直径大、机械强度高、电阻率低、氧含量较高，主要用于制造集成电路、晶体管、低电压小功率二极管、传感器和太阳能电池； 区熔单晶硅的特点是电阻率高、补偿度小、少数载流子寿命长，主要用于电力电子器件、高反压晶体管和射线探测器；外延单晶片的特点是薄膜单晶、气相生产表面，主要用以各种类型晶体管。 目前硅材料制备技术已达到十分完美的程度。 2.锗和硅的晶体结构 锗和硅都是金刚石结构，其晶胞如图5.2.1所示。 5.2.2锗硅单晶中的杂质和缺陷 1.锗硅单晶中的杂质 在锗和硅中的杂质大致可分为两类，一类是Ⅲ族或Ⅴ族元素，它们在硅和锗中，多占据晶格格点，能级只有一个，且电离能小，一个杂质原子只起一个受主或施主作用。 Ⅲ族杂质起受主作用使材料呈p型导电，Ⅴ族杂质起施主作用，使材料呈n型导电。 另一类是除Ⅲ、Ⅴ以外的杂质，如IB族和过渡金属元素，它们具有多重的杂质能级而且电离能大，在室温下不会全部电离，对材料的导电性质影响较小，主要起复合中心或陷阱的作用。 多重杂质在锗、硅中的作用是非常复杂的，它与材料中原来掺入的其它杂质类型和浓度、温度等都有关系。 如金在硅中有两个能级，一是Ec-0.54eV（受主），另一个是Ev+0.35eV（施主），它们所起的补偿作用与材料掺入的其它杂质浓度和温度有关。 除了多重能级杂质以外，在硅、锗中还有一些杂质如碳、氢、氮等。是电中性的，它们不起施主和受主的作用，对材料的电阻率没有明显的直接影响。 2.锗硅单晶中的缺陷 在锗、硅中的点缺陷主要是空位和间隙原子。 线缺陷-位错是半导体材料中最普遍的晶体缺陷，它们是在晶体生长、加工过程中，由于存在着应力而产生的。它们对半导体材料的载流子迁移率和寿命都有影响。 晶界、孪晶界、堆垛层错、相界和晶体表面等是晶体中常见的面缺陷， 这些缺陷都会散射载流子使材料的电阻增大。 微缺陷是无位错硅、锗单晶中广泛存在的一类缺陷，其几何尺寸多为微米或亚微米数量级。 它们是一些点缺陷的集合体。 缺陷还会形成陷阱和复合中心。 5.2.3非晶硅材料 1.非晶硅的基本特性 非晶硅（简称a-Si）在结构上最基本的特性是短程有序而长程无序。 同晶体材料相比，非晶硅具有以下突出的特点。 ①可以改变材料的物性参数。在晶态时，硅和锗的激活能和带隙宽度等物性参数基本保持不变，而非晶材料的这些参数都可以通过调整组份或工艺参数等办法来改变；这样就可以根据需要来提供样品，扩大应用范围。 ②非晶材料从整体来说是各向同性的，因此加工时不必考虑晶向的方位，工艺简单，加工性好，大面积器件的制造比单晶材料要容易的多。 ③材料处于非晶态时，其内能要比晶态时大，是一种亚稳态。这种亚稳态，在外界能量的扰动下，可以变到另一个亚稳态甚至稳态，可利用它制造一些具有参数可逆变化的器件。 2.非晶硅的能带模型 对于非晶硅，半导体的能带理论基本上可以用，但要作些修正，如它的禁带宽度与工艺条件有关，在禁带中的许多附加能级，费米能级不容易移动等。 3.氢化非晶硅(a-Si:H) 1975年用辉光放电分解SiH4制备非晶硅，形成了氢化非晶硅，氢原子与非晶硅中的悬挂键结合，大大地降低了非晶硅的悬挂键。 非晶硅氢化以后，它的禁带宽度可将随着氢化程度的不同而有所变化，宽度可在1.2eV～1.8eV之间变化。 氢化非晶硅在实用上与硅单晶相比有它的优点，禁带宽度及吸收系数较大，但迁移率及扩散长度较小。 Company Logo * LOGO Company Logo