第三章 场效应晶体管及其放大电路4课件.pptVIP

上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.3 场效应管放大电路 3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析 1．自给偏压 场效应管常用的偏置方式 自给偏压 分压式偏置 IDQ USQ= IDQ RS UGSQ= –IDQ RS (1) 电路 (2)自给偏压原理 + _ + _ (3) 静态分析 a. 方法一：图解法 (a) 列写输出回路方程 (c) 作图 (b) 列写输入回路方程 + _ + _ a b c d e a b c d e IDQ M N Qo UDSQ Qi UGSQ 作输出回路直流负载线 作控制特性 作输入回路直流负载线 O O b. 方法二：估算法 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 由此可得 + _ + _ [例] 在图示电路中，VDD=18V，RD=3kΩ，RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ 、IDQ和UDSQ 。 + _ + _ [解] 当管子工作于放大区时 将有关数据代入上式，得 UGSQ =－2.9 V IDQ=2.9 mA 联立求解，得 2．分压式偏置 图中 (1) 电路 (2) 静态分析 + _ + _ + _ _ + 故 分压式偏置: 增强型、耗尽型 两种偏置电路适用的FET 自给偏压：耗尽型 + _ + _ + _ _ + 3．信号的输入和输出 常用的耦合方式 阻容耦合 变压器耦合 直接耦合 一种典型的阻容耦合共源极放大电路 + _ + + + _ + 3.3.2 场效应管的微变等效电路 由场效应管工作原理知 iD= f (uGS ，uDS) iG= 0 对iD全微分 FET g d s 为跨导 式中 rds为FET共源极输出电阻 故 或者 FET g d s FET的微变等效电路 简化的微变等效电路 FET的微变等效电路 FET的高频模型 3.3.3 场效应管组成的三种基本放大电路 1．共源极放大电路 微变等效电路 + _ + + + _ + 由图可知 · · · · 故 · · · · · 式中 a. 求电压放大倍数 由图可知 b. 求输入电阻Ri 根据输出电阻的定义 由图可知 画出求输出电阻的等效电路 c. 求输出电阻Ro 2. 共漏极放大电路 微变等效电路 _ + + + + _ 由图可知 · · 故 · · · 式中 · · · a. 求电压放大倍数 · · · 输入电阻 b. 求输入电阻Ri c. 求输出电阻Ro 求Ro的等效电路 上页 下页 返回 模拟电子技术基础