单端正励变器的建模与仿真.docVIP

单端正励变换器的建模与仿真 在许多场合要求输入与输出之间实现电隔离，这时可在DC-DC变换器中加入变压器，即单端正励变换器。 单端正励变换器的名字来源： 所谓单端变换器，是指变压器磁通仅在单方向变化的变换器。 叫正激电路是由于在开关导通时电源能量直接传至负载。这是相对于反激电路而言的，反激电路在开关导通时电源将电能转化为磁能储存在变压器中，开关关断时再将磁能转化为电能传送到负载。 这个电路所用的开关器件是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。全控型器件，即通过控制信号即可以控制其导通，又可控制其关断。 1.单端正励变换器工作原理分析： 正激电路在一个开关周期内经历开关导通、关断2个状态，如图1和图2所示。 图1开关S导通状态 图2开关S关断状态 ① t0~t1时段 S导通，变压器励磁，绕组W1的电压为上正下负，副边绕组W2的电压也是上正下负，VD1导通，VD2截止，L电流逐渐增长。 由此可得： ② t1~t2时段 S关断 VD1关断，VD2导通，电感L电流通过VD2续流， uVD2=0，并逐渐下降 。 VD3导通 励磁电流经W3和VD3流回输入端，变压器磁复位。在磁复位未完成前，即 t1~tr时段，开关承受的电压为: 变压器磁复位完成后， 即 tr~t2时段，开关承受的电压us=Uin 图3 正激电路主要电压 S开通后，励磁电流im由0开始，线性增长，直到S关断。S关断后到再一次开通的时间内，必须设法使im降回到零，否则下一个开关周期中， im将在剩余值基础上继续增加，依次累积，变得越来越大，从而导致变压器的励磁电感饱和，励磁电感饱和后，im会更加迅速地增长，最终损坏电路中的开关器件。使im降回到零的过程称为变压器的磁复位。 根据变压器在t0~t1时段磁通的增加量等于在t1~tr时段磁通的减小量，等效为图中两阴影矩形面积（电压伏秒面积）相等 励磁电流电流下降到0所需的复位时间为： 只有保证， 才能使变压器磁芯可靠复位。 在输出滤波电感电流连续的情况下，正激电路的输入输出电压关系为： 可见，正激电路的输出电压和降压（Buck）型电路非常相似，仅有的差别在于变压器的变比。实际上，正激电路就是一个插入隔离变压器的Buck电路。输入输出电压关系可以看成是：将输入电压按变压器的变比折算至变压器二次侧后，根据Buck电路得到的。由于在开关导通时电源能量直接传至负载，所以成为称正激电路。 图4正激电路磁复位过程 2.参数的选择：（要求占空比能取到小于10/13所有数，最小负载电流为0.5A，f=10000Hz） （1）变压器参数选择： 由原理图知，该变压器是一种单相三绕组变压器，参数需要设定为， 如图令变压器变比为N1：N2：N3=10：10：3，额定容量为830V，额定电压为100V，额定电流为5A，额定频率为fn=10000HZ。为了防止励磁电感饱和，必须保证 ， 即toff/tonN3/N1，f=10000HZ)，则N1/N3大于等于10/3，取N1：N3=10：3 （2）RLC的选择 其中LC的选择要保证电路纹波尽量少，电流连续； 设最小负载电流为0.5A，要求负载电流连续，有公式 得到 0.5=2.5e-3H 有公式 ,得 得， 取C=1.25e-5 matlab 图5 仿真电路图 取D=30，40，50，60，观察仿真图形 D=30时， D=40时， D=50时， D=60时 下面选择D=60时，负载改变的情形 R=20， R=30， R=40， 满足设计要求