电子元器件基础知识_00002.ppt

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电子元器件基础知识_00002

电阻器的测量 1)根据电阻器的大约阻值来选择万用表的电阻档; 2)将万用表的两表笔搭接在电阻器的两侧,进行测量。3)若万用表的电阻档选的大或小要重新选择,重复以上的步骤 4) 电阻损坏只能是阻值比自身标称值大 电容器检测 1、先将电容器的两脚短路,放掉它可能的储电。使用最高倍率的电阻档测试,刚接上电容器的时候,因为电容器会充电的缘故,会在数字表上显示一定大小的电阻数,且不断地跳动,在跳动中数据不断变大,直至显示无穷大。数据不断变大的速度反应电容器的大小。电容器越大的,需要较长时间才显示无穷大。 当电容器足够大的时候,没有充电的过程,则是电容器失效。如果充电结束不显示无穷大,则是电容器漏电。 注意容量太小的电容的充电过程太短,可能看不出充电过程。 2、用万用表的电容档位直接测量电容的容量,只适合容量较小的电容器(200uF以下)。 3、直接目测电容器的外观,比如鼓包、漏液等,电容器就一定是损坏的。 二极管的测量 用数字万用表的二极管档位测量二极管。 测二极管时,使用万用表的二极管的档位。若将红表笔接二极管阳(正)极,黑表笔接二极管阴(负)极,则二极管处于正偏,万用表有一定数值显示。若将红表笔接二极管阴极,黑表笔接二极管阳极,二极管处于反偏,万用表高位显示为“1”或很大的数值,此时说明二极管是好的。 在测量时若两次的数值均很小,则二极管内部短路;若两次测得的数值均很大或高位为“1”,则二极管内部开路 半导体三极管的分类 半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。按照结构工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。 三极管的三种工作状态 放大:以NPN型三极管为例,当Ub-Ue≥0.6V时,放大,CE极有阻值 导通:Ub<Ue时,截止,CE极不通。 截止Ub>>(绝大于)Ue时,饱和导通,CE极导通短路。 门槛电压:硅管0.6v。锗管0.2v 命名方法:看打头的字母:A为PNP型硅管、B为PNP型锗管、C为NPN型硅管、D为NPN型锗管。 三极管的测量 用万用表测量三极管 (1)用万用表的二极管档位测量三极管的类型和基极b 判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结,如图2.1所示。按照判断二极管的方法,可以判断出其中一极为公共正极或公共负极,此极即为基极b。对NPN型管,基极是公共正极;对PNP型管则是公共负极。因此,判断出基极是公共正极还是公共负极,即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。 (2)发射极e和集电极c的判断 利用万用表测量β(HFE)值的档位,判断发射极e和集电极c。将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中,把其于管脚分别插入c、e孔观察数据,再将c、e孔中的管脚对调再看数据,数值大的说明管脚插对了。 (3)判别三极管的好坏 测试时用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否正常,正常的三极管是好的,否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子。 * 常用电子元器件及应用 1.1 电阻器 图标 文字符号: R等 电阻在电路中的作用:电阻的主要物理特征是变电能为热能,也可说它是一个耗能元件,电流经过它就产生热能。电阻在电路中通常起分压分流的作用 ;与其它元件一起构成一些功能电路,如RC电路等。 (1)金属膜电阻:在陶瓷骨架表面,经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜。其特点是:精度高、稳定性好、噪声低、体积小、高频特性好。且允许工作环境温度范围大(-55~+125℃)、温度系数低((50~100)×10-6/℃)。目前是组成电子电路应用最广泛的电阻之一。常用额定功率有1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W等,标称阻值在10W~10MW之间。 (2)金属氧化膜电阻:在玻璃、瓷器等材料上,通过高温以化学反应形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层。 (3)碳膜电阻:在陶瓷骨架表面上,将碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜。碳膜电阻价格低廉,阻值范围宽(10W~10MW),在一般电子产品中大量使用。 1.1.1 电阻器的分类 1.1.2 常用电阻器的标志方法 1.直标法 把元件的主要参数直接印制在元件的表面上,这种方法主要用于功率比较大的电阻。如电阻表面上印有3W47Ω,表明这个电阻的功率是3W,阻值是47欧姆 2.文字符号法 随着电子元件的不断小型化,特别是表面安装元器件(SMC和SMD)的制造工艺不断进步,使得电阻器的体积越来越小,其元件表面上标

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