脉冲与数字电路 门电路.ppt

第二章 门电路 2-1 半导体器件的开关特性 理想开关：断开时，流过的电流为0； 闭合时，两端的电压降为0。 开关动作瞬间完成。 一、二极管的开关特性 1、当外加正向电压VD0.7V时，硅二极管导通，其导通压降保持0.7V ，如同一个具有0.7V压降的闭合开关。 2、当外加电压VD 0.5V时，硅二极管截止，流过二极管的电流为0，如同一个断开的开关。 3、二极管由导通到截止或由截止到导通，其状态转换需一定的时间。 二、三极管的开关特性 1、当三极管截止时，流过三极管的基极和集电极电流均为0，三极管的c、e之间有如一只断开的开关。 三极管的饱和条件 当三极管临界饱和时，记VCE=VCES 、IC=ICS 、 IB=IBS 。 当三极管的实际基极电流IB大于临界饱和时的基极电流IBS ，则三极管饱和。 饱和深度记为IB/ IBS。 3、三极管由截止状态变为饱和或由饱和状态变为截止状态，都需要一定的时间，即三极管的开关状态转换需要时间完成。 2-2 分立元件门电路 电压功能表 二、二极管或门 输入端高、低电平分别为3V、0V。 -VEE=-5V。 1)当VA=VB=0V时， 两只二极管均导通，输出Vo = -0.7V。 2）当VA=0V，VB=3V时，二极管DB导通，Vo =3-0.7=2.3V， DA截止。 3）当VA=3V，VB=0V时，二极管DA导通，Vo =2.3V， DB截止。 4）当VA= VB= 3V时，二极管DA、DB导通，Vo =3-0.7=2.3V。 三、三极管非门 三极管输入端高电平为3.2V，低电平为0.3V。 四、复合逻辑门电路 2-4 TTL门电路的其他类型 一、与门 二、与或非门 三、异或门 四、集电极开路门 1.线与 将门电路的输出直接相连，实现其输出的与逻辑关系。 * * 2、当三极管工作在饱和状态时，VCE=0.3V，其c、e之间如同一个具有0.3V压降的闭合开关。 1、二极管与门 A、B为电路的两个输入端，F为输出。 VCC=5V。 输入端的高、低电平分别为3V、0V。 1)当VA=VB=0V时， 两只二极管均导通，输出Vo =0.7V。 2）当VA=0V，VB=3V时，二极管DA导通，Vo =0.7V， DB截止。 3）当VA=3V，VB=0V时，二极管DB导通，Vo =0.7V， DA截止。 4）当VA= VB= 3V时，二极管DA、DB导通，Vo =3+0.7=3.7V。 逻辑真值表 逻辑 赋值 电压功能表 逻辑真值表 逻辑 赋值 1）当Ui=0.3V时，显然三极管截止，流过集电极电流为0，二极管D导通， Uo =3.2V。 2）当Ui=3.2V时，只要电路参数设置合适，满足IB IBS ，则三极管导通， Uo = UCES =0.3V。 2-3 TTL门电路 TTL电路是数字集成电路的一种，其内部主要采用晶体三极管的结构，数字集成电路的另一类是CMOS电路，其内部电路主要由场效应管组成。 本节以TTL与非门为例，介绍TTL门电路的内部结构、工作原理，着重介绍TTL门电路的外特性 一、TTL与非门 1.电路组成及工作原理 输入信号的高电平为3.6V，低电平为0.3V。 1）VA、 VB 有一个或两个都是低电平0.3V T1的发射结导通，T1的基极电位VB1 =0.3+0.7=1V，使T1的集电结正偏，T1处于饱和状态；T2、T5截止，T3、T4导通。 Vo= VCC- VR2 - VBE3 - VBE4 = VCC- VBE3 -VBE4 =3.6V。 2）当输入端全部加入高电平时 T1的发射结一旦导通的话，会使基极电位VB1 =3.6+0.7=4.3V，该电位可以使T1的集电结正偏导通，T2、T5的发射结导通，因此，T1的基极电位最终应为2.1V。T1的发射结截止，集电结导通，T1工作在倒置状态，其电流放大系数很低。T2、T5饱和、T3、T4截止。 Vo= VCES5=0.3V。 可见， 2.TTL与非门的外特性 （1）电压传输特性 TTL与非门输出电压与输入电压间的关系曲线。 Vo（V） Vi（V） 3.6 0 0.6 1.4 VT A B C D E 2.7 0.3 2（VoN） VoFF VNL VNH AB段： Vi 0.6V,T1饱和导通，T2、T5截止，T3、T4导通， Vo= 3.6V。 BC段： 0.6 Vi 1.3V，这时1.3 VB1 2.1V，T1饱和，T2导通，处于放大状态，T5截止，且Vi↑→ VB2 ↑→IC2 ↑→ Vo↓。 CD段： Vi =1.4V左右，输入在1.3V基础上再增大一点点，T2、T5趋于饱和，T3、T4趋于截止，输出陡然下降。 DE段： Vi 1.4V，各