2节 纯金属的结晶x.pptVIP

* 3、连续长大机制（垂直长大机制） * 三 、固液界面前沿液体中的温度梯度 1、正温度梯度 * 2、负温度梯度 液相中，离固液界面的距离越远，温度越低。 * 四、 晶体长大的界面形状 1.正温度梯度下的成长界面形状 A、光滑界面：规则的几何外形---图2-26/2-27 B、粗糙界面： 平面长大 * 2.负温度梯度下的成长界面形状  A．粗糙型界面成长为树枝晶（枝晶） * B．光滑型界面 α值较小的形成树枝晶 α值较大的呈现平滑界面 * 五、长大速度 A、粗糙界面 垂直式长大 ΔTk=0.01-0.05℃ 成长速度很快 B、光滑界面 a、台阶式成长，ΔTk=1-2℃ 界面上反复形成 b、二维晶核，罕见。 依靠晶体缺陷长大—永不消失的台阶，速度较慢。 * 六、凝固后金属的晶粒大小 1. 表示：用单位体积中的晶粒数来衡量或近似地把晶粒看作球体，用它们的平均直径来衡量 2. 细化晶粒的意义 室温时，细化晶粒是提高材料强度（包括σs、σb、σ-1）及塑性的有效途径之一。 但高温下工作的金属材料或制造电机和变压器的硅钢片，希望晶粒粗大一些。 * 3 控制晶粒大小的途径 晶粒的大小取决于形核率N和长大速度G的相对大小。 形核率越大，晶粒越细；长大速度越小，晶粒越细； N/G值越大，晶粒越细。 单位体积中的晶粒数目Zv=0.9(N/G)3/4 单位面积中的晶粒数目Zs=1.1(N/G)1/2 A. 增加过冷度 过冷度增大，N增加，G增加，N/G也增加； 实际结晶时，过冷度主要是由冷却速度来控制的. 控制过冷度的方法如下： * 砂模 铁模 水冷模 连续铸造 冷却速度增加 例：直接淬火法制备Ti2Ni纳米晶 a.改变铸型 * b. 采用低的浇注温度、减慢铸型温度的升高，或者进行慢浇注。 a) 750℃浇注 b) 900 ℃浇注 Al-0.15%Ti合金的铸造组织 * B.变质处理 机理：改变结晶的基本参量，即增大非均匀形核率（形核剂如在铝液中加入钛或锆；）或降低晶体长大线速度（长大抑制剂如在铝中加入钠盐） * C.振动，搅拌 (a) 未振动 (b) 振动 机理：a)输入能量使形核率提高 b)使生长的晶体破碎，从而提供更多的结晶核心。 * §6 金属铸锭的宏观组织与缺陷 一、铸锭（铸件）三晶区的形成 1.激冷层（表面细晶区） 2.柱状晶区 3.中心等轴晶区 * 细晶区的形成： a.模壁形核能力 b.模壁的过冷度：如表面温度，热传导能力，浇注温度等 表层细晶区晶粒细小，组织致密，但很薄。 * 柱状晶区的形成： 细晶区形成后，模壁散热能力下降。 柱状晶区的形成原因： a. 靠近液相处只能依靠晶粒继续长大进行 b. 散热方向：垂直于模壁 c. 晶体的长大速度各向异性，垂直于模壁的方向最快。如立方晶系的一次轴均为001 ——“铸造织构”。 * 相同方向的柱状晶晶粒间的界面平直，气泡、缩孔少，组织致密； 不同方向的柱状晶界面处杂质、气泡、缩孔富集，为弱面，因而在压力加工时容易裂开； 柱状晶性能有方向性，塑性差的金属或合金，为了防止热轧开裂，应避免形成发达的柱状晶，但塑性好的铝合金等，即使全部为柱状晶，也能顺利通过热轧。 * 定向凝固 * 中心等轴晶区: a. 温度下降 b. 杂质集中 c. 散热无方向性 铸锭中心等轴晶粒的来源： 仔晶卷入 枝晶漂移 晶体下沉 * 三晶区的性能 A.细晶区： 性能好 B.柱状晶区： 晶粒彼此间界面平直致密，柱晶间界杂质气泡缩孔富集－－弱面，性能有方向性 C.等轴晶区： 无方向性，无弱面，但树枝状晶导致显微缩孔 * 二、铸锭组织的控制 1.铸锭模的冷却能力 铸锭模及刚结晶的固体的导热能力越大,越有利于柱状晶的形成. 对于尺寸小的铸件,等轴晶区 水冷结晶器,全部细小的等轴晶 *  2.浇注温度和浇注速度浇注温度提高和浇注速度,有利于柱状晶 3.熔化温度 熔化温度高，过热度大,非均匀形核少,有利于柱状晶 * * * 例：三个成份相同，但铸造温度和铸模材料不同的铸件得到三种横截面 A.粗等轴晶 B.细等轴晶 C.典型三晶带组织，试解释为何产生不同