02半导体物理和器物理基础.ppt

* 加动画 * 场效应晶体管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 2. MOS场效应晶体管(MOSFET)晶体结构 结构示意图 L 沟道长度 W 沟道宽度 D(Drain)为漏极 G(Gate)为栅极 S(Source)为源极 NMOS D(Drain)为漏极， G(Gate)为栅极， S(Source)为源极， P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B N 型衬底 (掺杂浓度低) P+ P+ S D G B PMOS S G D B S G D B 符号 增强型 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B D(Drain) 为漏极 G(Gate) 为栅极 S(Source) 为源极 MOSFET的结构是完全对称的，不加偏压下，无法区分那一端是源极，那一端是漏极。 对于NMOS，加偏压后，将电位低的一端称源极，电位高的一端呈漏极，电流方向从漏极流向源极。 PMOS相反。 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B 用扩散的方法 制作两个 N+区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 用金属引出 源极 S 和漏极 D 在绝缘层上喷金属铝（铝铜硅）引出栅极 G 工艺 漏极和源极间的区域称为导电沟道 SiO2 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管（ MOSFET ） 栅极和其它电极及衬底之间是绝缘的，所以又称为绝缘栅场效应管（ IGFET ） P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B 3 工作原理（以增强型NMOS为例） 绝缘栅场效应管利用 VGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。正常工作时， VGB0，源极 S 和漏极 D与衬底之间的pn结必须加电压。 VGS0， VDS0 且VGSVDS P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ S D G B （1）假定VGS=0 两个N+被各自的空间电荷包围, 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结。无论漏源之间加何种极性电压，总有一个PN结是反偏的。且只有很小的反偏电流，可认为ID=0 。 VGS ID=0 P 型衬底 N+ N+ S D G B VDS S B D （2）假定VGS0（很小） 垂直于衬底表面产生电场 VGS ID=0 N+ N+ S D G B VDS P 型衬底 - - 电场将两个N+的多子 电子和P衬底中少子电子吸引到表层与空穴复合。排斥空穴，留下负空间电荷。 VGS很小时，源、漏极被空间电荷隔断。 （3）假定VGS增加 使导电沟道刚刚形成的VGS称为开启电压VGS(th)(或VT) VGS N+ N+ S D G B VDS P 型衬底 空间电荷区 电场将两个N+的电子和P衬底中电子继续吸引到表层与空穴复合。排斥空穴，最终电子浓度空穴浓度。形成反型层。 两个N+相通，源、漏极间形成N型导电沟道。 VGS足够大时,形成导电沟道，如此时加有漏源电压VDS，就可以形成漏极电流ID。 VDS0 导电沟道形成后，VDS越大，ID越大。 导电沟道相当于电阻,VGS越大此电阻越小。 VGS ID0 N+ N+ S D G B VDS P 型衬底 栅极电压——纵向电场 漏源电压——横向电场 在栅极上电压为0时，漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结。且相隔很远，可认为ID=0。 当栅极上加一定的电压后，源漏之间加电场后会有明显的电流通过。 由于器件的电流是由电场控制的，这就是场效应管的由来。 VGS ID=0 P 型衬底 N+ N+ S