2011CB933000-G碳基无掺杂纳电子器件和集成电路.docVIP

项目名称： 碳基无掺杂纳电子器件和集成电路 彭练矛 北京大学 2011.1至2015.8 教育部  本项目的总体目标为发展有自主知识产权的低成本高性能碳基纳电子、光电子集成芯片，建设一支高水平的碳基纳米电子和光电子学的研究队伍，培养相关领域的优秀青年人才，将项目的主要支撑单位“纳米器件物理与化学教育部重点实验室”建设成为国际著名的纳米器件研究中心。在碳纳米管CMOS集成电路方面，制备出中等规模的碳纳米管CMOS集成电路，例如碳纳米管全加器。在高性能碳纳米管基光电器件方面，做到发光器件的室温电致发光光谱的半高宽和荧光光谱相当，即不大于30 meV，探测器的光电压不小于0.2 V，并初步实现纳电子电路的电信号与光通讯电路的光信号间的相互转换。 五年预期目标： 五年预期目标为探索碳基纳电子和光电子器件的极限性能，并利用这些器件构建成若干高性能电路，预计可以取得如下成果： 集成电路用碳纳米管阵列的可控生长。在晶片尺寸绝缘基底上制备出直径大约在1.5 nm，管径分布不超过(0.3 nm的平行半导体性单壁碳管，初步实现碳纳米管的间距和位置可控，半导体性碳纳米管含量高于95%。 适合于碳基电子学的高κ栅介质材料。在碳纳米管或石墨烯上生长出等效氧化层厚度(EOT)小于2纳米的栅介质薄膜，薄膜材料能隙在5电子伏特以上，在1MV/cm的电场下，漏电流低于10mA/cm2，对器件载流子迁移率和电导的损害在10%以下。 碳基新型射频电路。测量高频下碳基纳米结构的动能电感，利用碳纳米结构搭建新型的碳基射频电路。 纳米阻变存储器。利用碳基材料作为存储介质，结合传统硅基驱动电路，实现可工作的原型碳基纳米存储器。 优秀人才培养。将年轻学者培养成为能够独当一面的学科带头人，项目执行期间培养出1-2名国家杰出青年基金获得者；将一线工作的优秀学生培养成为具有独立工作能力的优秀科研工作者，项目执行期间培养出2名以上的市级和国家级优秀博士论文获得者；毕业50名以上博士后和研究生。将本项目主要支撑实验室“纳米器件物理与化学”教育部重点实验室建设成为国际著名的纳米电子和光电子器件研究基地，每年在重要的学术会议上应邀做10个以上的特邀报告。 项目执行期间发表100篇以上高影响因子（大于3）论文，申请20个以上与纳米器件和电路相关的发明专利。  三、研究方案 （一）学术思路： 本项目是在前期项目“基于一维纳米材料的新原理器件：纳米碳管为基的纳米器件” （2010年结题）的基础上提出来的。在前期项目的实施过程中我们积累了大量平行碳纳米管阵列的生长经验和单个碳纳米管电子器件的研究经验（见如下项目发展路线图的第二列所示）。本项目的总体研究思路是一方面进一步完善碳基纳米材料的可控制备，另一方面争取从上一个项目主要是对于单个器件（晶体管）的研究发展至更复杂的中等规模集成电路，从单一的电子器件发展至电子-光电子集成电路，从数字电路延伸到模拟和射频电路，从简单的纳米器件到结合微电子的驱动电路与碳基纳米存储电路的完整系统（从如下项目发展路线图的第二列发展到第三列）。 （二）技术途径 本项目考虑的碳基纳米材料主要为碳纳米管材料。我们前期项目的结果表明半导体性的单壁碳纳米管可以用于制备高性能的CMOS器件，速度和功耗较相同尺寸的硅基器件都有很大优势。本项目在数字逻辑电路方面仍将主要考虑碳纳米管基的CMOS集成电路。在光电器件方面，半导体性的碳纳米管有一个确定的能隙，以及很强的室温激子效应，可以用于高效红外光源的制备，同时也可以用来制备光探测器。在碳纳米管基的光源和探测器方面我们已经有了很好的基础。但是石墨烯是一个零带隙的半导体材料，可以在全光谱范围内有效地吸收，可能是一个比碳纳米管要灵敏得多的光探测材料。石墨烯和碳纳米管有许多相近之处，本项目将仔细比较碳纳米管和石墨烯光探测器的性能特征，将最适合于我们光互联方案的器件集成到我们最终的系统中。对于碳基阻变存储器件，我们前期的研究发现不论是石墨烯材料、碳纳米管，还是近非晶碳材料都可以观察到高达105-6的阻值变化。具体选择哪种材料需要综合考虑制备成本、最终器件的性能、稳定性和工艺的兼容性，但这几种碳基材料的制备对本项目组来讲都不陌生。存储器件单元拟首先采用结构紧密的1R1D(one resistor one diode)结构，外围的驱动电路采用硅基的传统读写电路。本项目在这个方向的研究重点在于探索硅基和碳基电路的有效结合。目前我们的小尺寸弹道器件的制备主要依赖电子束光刻设备。但碳基特别是碳纳米管器件的加工基本是一维的，一旦解决了材料可控生长的问题，传统的深紫外光刻和纳米压印设备都有望能够用于碳基器件的规模加工。此外Intel公司发展的用于加工10纳米以下器件的space gate technology也有可能被用于加工弹