半导体物与器件第五章1.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 第五章 载流子的输运 在外加电场的条件下，载流子的漂移运动 本章主要内容 5.1 载流子的漂移运动 漂移电流密度 迁移率 载流子的散射 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电导率 电导率（电阻率）杂质浓度和温度的关系 速度饱和效应 耿氏效应 多能谷散射 负微分电导效应 5.2 载流子扩散运动 扩散电流密度 扩散定律 扩散系数 总的电流密度方程 5.3 杂质的不均匀分布 感生电场 爱因斯坦关系 5.1 载流子的漂移运动 漂移电流密度 则通过截面积为s的A处的电流强度为： 两者结论矛盾： 因为电子带负电，所以 一般应和 E 反向，习惯上迁移率只取正值，即： 载流子的迁移率 迁移率一方面反映了半导体中电子的微观散射作用的强弱。 另一方面与半导体的宏观电流密度相联系。因而是研究和描述半导体导电机理和散射特性的重要物理量。 散射概念的引入 散射的概念：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射。 在有外电场时： 首先分析迁移率与散射强弱的关系 1 平均自由时间和散射几率P的关系 2 迁移率与平均自由时间的关系 1 平均自由时间和散射几率的关系 平均自由时间：外电场|E|作用下载流子作定向漂移运动仅在连续两次散射间的时间内载流子被加速，这段时间称为自由时间。有极多个电子，自由时间长短不一，求其平均值则成为载流子的平均自由时间τ。 平均自由程：连续两次散射之间的自由运动的平均路程 1 平均自由时间和散射几率的关系 1 平均自由时间和散射几率的关系 平均自由时间的数值等于散射几率的倒数 2迁移率与平均自由时间的关系 2 迁移率与平均自由时间的关系 2 迁移率与平均自由时间的关系 2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 半导体的主要散射机构 散射机构的本质是破坏晶体周期性势场的附加势场。 2 半导体的主要散射机构 电离的杂质会在其附近形成一个库伦势场，经过其附近的载流子将在库伦作用下而改变其运动方向，该作用过程就是电离杂质对载流子的散射作用 晶体振动以格波形式存在，格波又分为声学波和光学波，声学波代表原胞质心振动，频率低；而光学波代表原胞内原子间的相对振动，频率高； 以声学波为例： 因长声学波与电子波长近似，起主要散射作用的是长声学波，即长声学波声子与电子的碰撞。 因纵声学波导致原子分布发生疏密变化，造成能带宽度起伏，相当于破坏了周期性势场，电子运动波矢随之改变，所以纵波对电子的散射较明显。 散射机理总结 对硅锗等原子晶体：主要是纵、长声学波散射； 迁移率与杂质和温度的关系 根据平均自由时间与散射几率的关系： 迁移率与杂质和温度的关系 上述每一个散射机构单独起作用时，相应的迁移率都与温度密切相关，而由于电离杂质散射作用，迁移率还与杂质浓度密切相关。 迁移率与杂质和温度的关系 半导体同时存在多个散射机构 迁移率与杂质和温度的关系 对于掺杂的硅、锗等原子半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射： 迁移率与杂质和温度的关系 总体上随温度的升高迁移率下降 在低温范围，杂质散射作用较明显，所以杂质浓度对迁移率的影响较明显，不同的掺杂浓度，迁移率分的很开，而且在高掺杂时，随温度上升，迁移率略有上升； 在高温范围，晶格散射作用较明显，所以曲线发生汇聚，且随温度上升而下降。 右图为300K时锗、硅、砷化镓迁移率与杂质浓度的关系。 在较低掺杂浓度，迁移率基本不变， 当掺杂浓度较大时，杂质越多，散射越强，迁移率越小。 例： 长为2cm 的具有矩形截面的Ge 样品，截面线度分别为1 和2mm，掺有1022m?3受主，试求室温时电阻的电导率和电阻。再掺入5×1022m?3 施主后，求室温下样品的电导率和电阻。 半导体电导率 半导体材料的电导率与载流子的浓度及迁移率有关 例：室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使杂质浓度为4.4x1016，计算室温下电子浓度和空穴浓度，以及该掺杂下锗的电阻率。设杂质全部电离，且迁移率不随掺杂而变化。 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 电阻率是电导率的倒数，在工程中更常用到 300k时本征半导体电阻率： 1 电阻率和杂质浓度的关系 在轻掺杂时（1017/cm3)，室温下杂质全部电离，迁移率随杂质变化不大，电阻率与杂质浓度成简单的反比关系，在对数坐标中近似为直线关系 1 电阻率和杂质浓度的关系 由右图可以方便的进行电阻率和杂质浓度换算（部分习题会用到），生产上也常用这些曲线检验材料的纯度。 例： 在室温下，为了把电阻率为0.2（Ω·cm），的p型硅片变为（1） 0.1（Ω·cm）的p型硅片；（2）电阻率为0.2 （Ω·cm）的n型硅片，各需要掺入何种类型杂质?，及其浓度应是多