半导体谱仪仪器谱形成机理.docxVIP

《半导体谱仪仪器谱的形成机理》基本原理半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。半导体探测器具有许多优越性能，最突出的是能量分辨本领高，脉冲上升时间短，结构简单。半导体探测器的种类很多，根据结构可分为PN 结型和PIN 结型半导体探测器可以被看作是一个带平面电极、“填充”以半导体晶体(而不是气体)作介质的电离室。固体半导体探测器的阻止本领比电离室中所充气体的大好几倍。当被测的初始基本粒子进入由硅或锗晶体制成的半导体时，它在很短时间内10-11s)损失其能量。它将自己的能量、传递给半导体原子的电子(电离)，电子则可获得足够的能量去诱发次级电离。射线消耗相同能量，在半导体探测器中产生的电子—空穴对数要多得多，因而形成脉冲幅度的相对涨落要小得多，所以半导体探测器的能量分辨率好得多。探测器的分类目前常用的半导体探测器主要有三种。1)在锗或硅单晶中制造成PN 结，在反向电压下工作，使PN 结形成“耗尽层”，自由载流子浓度很低。2)在P 型和N 型的锗或硅单晶之间形成一层PIN 型本征区，电阻率很高，作为探测器的灵敏区。3)利用高纯锗材料，其中受主和施主原子的浓度已可降低至10-10个／cm3，即平均每1012个锗原子中仅有杂质原子1 个。半导体探测器的优点能量分辨率高，影响能量分辨率的主要因素有：①产生电子空穴对数和能量损失的统计涨落（△En)；②探测器噪声(△ED)；③电子学噪声，主要是前置放大器的噪声(△Ee)；③探测器的窗厚和放射源的厚度引起能量不均匀性所造成的能量展宽(△Es)。实验测出谱线的展宽△E 是由以上因素所造成影响的总和，表示为仪器结构半导体带电粒子谱仪主要用于探测α粒子等重带电粒子，如图所示，一般由金硅面垒探测器、电荷灵敏前置放大器、主放大器、配置放大器、多道分析器等组成。探头(晶体＋前置放大器＋低温装置)；谱放大器(稳定性，抗过载，极零调节，基线恢复等);多道脉冲幅度分析器(一般大于4000道，现在一般都带有数字稳谱功能)；计算机(谱解析软件及定量分析软件)。探测器与前置放大器带电粒子进入灵敏区，损失能量产生电子空穴对。形成一对电子空穴所需的能量w，与半导体材料有关，与入射粒子的类型和能量无关。对于硅，在300K 时，w 为3.62eV，77K 时为3.26eV。对于锗，在77K 时w 为2.96eV。若灵敏区的厚度大于入射粒子在硅中的射程，则带电粒子的能量E 全部损失在其中，产生的总电荷量Q 等于(E／w)e。E／w 为产生的电子空穴对数，e 为电子电量。由于外加偏压，灵敏区的电场强度很大，产生的电子空穴对全部被收集，最后在两极形成电荷脉冲。通常在半导体探测器设备中使用电荷灵敏前置放大器。它的输出信号与输入到放大器的电荷量成正比。探测器的结电容Cd是探测器偏压的函数,如果核辐射在探测器中产生电荷量为Q,那么探测器输出脉冲幅度是Q／Cd。因此，由于探测器偏压的微小变化所造成的Cd变化将影响输出脉冲的幅度。事实上，电源电压的变化就可以产生偏压的这种微小变化。此外，根据被测粒子的射程调节探测器的灵敏区厚度时，也往往需要改变探测器的偏压。要减少这些变化对输出脉冲幅度的影响，前级放大器对半导体探测器系统的性能起着重要的作用。图表示典型探测器的等效电路和前置放大器的第一级。其中一K 是放大器的开环增益，Cf 是反馈电容，C1 是放大器的总输入电容，它等于Cd+C’，C’是放大器接插件电缆等寄生电容。前置放大器的，输入信号是Q／Cd，它的等效输入电容近似等于KCf ，只要KCfCl，那么前置放大器的输出电压为输出回路输出信号当R0(Cd+Ca) tc ( tc为载流子收集时间)时，为电压脉冲型工作状态：脉冲前沿从粒子入射至全部载流子被收集(tc)。脉冲后沿以时间常数R0(Cd+Ca) 指数规律下降。但是，由于输出电压脉冲幅度h与结电容Cd有关，而结电容随偏压而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使h 发生附加的涨落，不利于能谱的测量；为解决该矛盾，PN结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证C入 Cd，而C入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。若反馈电容和反馈电阻为Cf和Rf，则输出脉冲幅度为：