发明者电设计宝典.pptx

第四章;4.1 半导体技术;4.1.1什么是半导体;;硅;在地壳中，硅的含量在所有元素中占第二位。平均说来，火成岩断27%的成分足硅。据估计一立方千米的海水中。大约包含3600吨硅。自然界中极难找到纯净的硅晶体，必须先将硅从与它共生在一起的其他元素中分离出来。然后才可被用来制作电子元器件。化学家、材料学家等先把硅提纯，再将其熔化。然后川籽晶生长得到大尺寸的硅晶棒。硅品棒被切成硅品片，半导休器件的设计者再用它来制作新奇的电子元器件。这种改造的方法就是掺杂。 ;对于半导体器件的设计者来说.如果只有硅晶片，其作用并不大。设计者并不用纯净的硅来制作元件，因为它没有要使它有用而必须其备的性质。半导体设计者须寻找一种可以改变硅的导电状态的材料，以使硅在某时刻起异体的作用，而在另一时刻起绝缘体的作用。为了使材料的导电状态可以改变，这些材料必须具备对作用于它的外加强制力（如外加的电压）作用响应的能力。纯净的硅片没有这种能力，事实上，纯净的硅片更接近于绝缘体，当外加的强制力作用于它时，并不能使它改变导电性能。今天的每一个设计者都知道，硅晶片可以加以改造，并可以和其他经过改造的硅片结合，来制作具有随外力作用而改变导电状态能力的元件。这种改造的方法就是掺杂。 ;掺杂;图4.5 纯净的硅晶片中不包含任何自由电子，所有电子都被与相邻的原子间的共价健所束缚。;然而，当硅晶片掺杂了磷后。非常有趣的事情发生了。磷原子与硅不同，有5个价电子而不是4个，其中4个价电子与相邻的4个硅原子的价电子形成共价键(见图4.6)。但第5个价电子却没有“家”(束缚位)，因而没有受到束缚力的约束而漂移离开了原子，成为自由电子。如果对掺杂了磷的硅片施加电压，硅片中未受束缚的电子将迁移到电压正端而形成电子流。掺杂到硅片中的磷越多，产生的电子流越大。掺杂了磷的硅叫作N型硅，或负电荷载流子型硅。 ;图4.6 一个磷原子加入硅晶片将产生一个不受束缚的参与导电的电子，掺杂了磷的硅叫作N型硅。;现在。如果在纯净的硅中加入一些硼。你将会看到一种不同的导电效应。硼原子与硅原子或碑原子不同，它仅包含三个价电子。当硼掺杂到硅中，它的三个价电子都将和硅原子的价电子形成共价键(见图4.7)。但在一个硼原子与一个硅原子之问的共价键中将出现一个空位，叫作空穴。如果在掺杂了硼的硅片两端施加电压，空穴将向电压负端移动.而一个相邻的电子将填入原先的空穴中。空穴可被认为携带有正电荷，虽然它们并不含有一个实际的正电荷。换一个说法，之所以说空穴携带正电荷，是因为接受了空穴的硅原子核内的质子所携带的正电荷量与核外轨道上的负电荷量不平衡。便带有空穴的原子的净电荷量相当于一个质子携带的正电荷。掺杂了硼的硅称为p型硅或正电荷载流子型硅。 ;图4.7 硅中加入硼后产生了空穴，空穴就像正电荷（见前面所述），使硅易于导电，掺杂了硼的硅称为F型硅。;现在你该明白，N型硅和P型硅都能导电，前者由未束缚的电子导电（N型硅），后者则依布空穴导电(P型硅)。;注意避免混淆;另一个要注意的问题(电荷载流子);这个空穴在等待一个来自相邻硅原子中的电子掉进来、使该处的能量降低。一旦相邻硅原子中的一个电子落入到硼原子价电子层的空穴中，该硅原子同时也产生了一个瞬时的空。硅原子中的电子有 朝电源正端移动的倾向，而新建立的空穴倾向于往电像的负端转移甲这种转移过程一直进行 下去，使得空穴好像一直在连续运动通过P型半导休而成空穴流口 ;最后一个注意点;使得硅原子核中正电荷的作用被呈现出来(其中一个质子的正电荷量不能得到平衡)。所以。把空穴称为正电荷毅流子是因为固定在原子核内的质子的正电荷在起作用。 ;4.1.2 硅的应用;人们认识到，当把一块P型半导体和N型半导体组合在一起，并在组合体两端加上特定的电压，则当电流穿越过两块半导体的结合部（PN结）时，将会产生光或光子。人们注意到这个过程也可以逆向进行，即当PN结受到光照时，将导致电子流动，结果产生了电流。利用将H型硅和N型硅结合的方法，人们已经制造出许多巧妙的新奇器件。后面几章将介绍其中一些主要要的器件。 ;N型硅和p型硅不同的导电方式（电子流和空流）对设计电子器件如二极管器件三极管和太阳能电池等来说。是非常重要的。一些聪明的人把块状的P型硅和N型硅通过夹板、导线等组合起来，并对这些结构体施加电压或电流。产生了独特的和很有用的结果。 产生这种结果的原因可能是P型硅的空穴流和N型硅的电子流的互相作用，通过这外种P型 硅和N型硅的新的结构，设计者开始制作了由外加电压和电流来控制开通或关断的电流单向导通门。 ;图4.9;4.2 二极管;4.2.1 PN结二极管的工作原理;正向偏置;反向偏置;二极管不是在所有时刻都处于单向导通状态，而是需要加上一个很小的正向电压才能使它导通。如硅二极管一般需施加等于或大于0.6V的