外延生长的相场模拟：台阶列和动力学上的应用.docxVIP

外延生长的相场模拟：台阶列和岛动力学的应用摘要在本文中，我们介绍一种新的相场模型来模拟外延生长，包括边缘扩散、E-S势垒、沉积以及去吸附的联合效应。当施加一个较大的沉积量时，一个新的自由能函数连同修正后的初始相变量可以用来更有效的获取形态演化。渐近分析展示了在界面厚度消失的情况下，相场模型向BCF模型的转化。相场模型通过半隐式有限差分法求解，块结构化笛卡尔网格的应用可以有效的提高求解效率。数值方案用来研究摄动圆形状岛的演化。边缘效应的影响连同ES势垒一起研究。我们也研究了台阶曲流稳定性的线性和非线性机制。我们再现了曲流幅值生长的预测标度律，这基于长波机制下的分析。当曲流波长比得上台阶宽度时，获得了新的非线性表现。特别的，我们发现，一个之前未被注意的粗化动力学机制会在这种情况下发生。1. 简介薄膜生长，例如分子束生长、液相生长以及化学气相沉积，是一种在基底上继承原子结构的单晶生长技术【1】。外延生长产生了近乎于无缺陷、高质量的晶体，在电子学、光学以及磁性材料上有广泛的应用。例如，外延生长可以应用于反射或者抗反射光学涂料的制造，在绝缘层和半导体集成电路的制造上也有重要的作用【2】。而且，外延生长可以通过自组装来制造更小尺度的结构，这是自发形成的纳米结构而不是通过自上而下产生的结构。例如，量子点和量子线有良好的传输和光学特性，这在半导体激光器、放大器、生物传感器等的发展中有重要的作用【3，4】。外延生长中最基本的问题是理解生长过程，这样我们才能发展控制纳米结构的形成和促进空间有序纳米结果的自组装的相关技术。在外延生长过程中，物理和化学过程发生在不同的空间和时间尺度上。这样的现象有：薄膜和基地的化学反应、基地和薄膜的异质外延失配、缺陷的形成例如错位和晶粒边界、系统的极端弹性异质性、强弹性和表面各向异性、界面动力学影响、外延层沉积、边缘扩散、基地形貌图形和基地下植入图形。这些过程相互作用和竞争，形成了复杂的薄膜形貌，例如台阶结构、有小面的量子点和量子线。对于这样一个复杂的多尺度问题，外延生长的建模对数学家、物理学家和材料学家是一个巨大的挑战。由于薄膜生长的宏观演化与表面的原子运动和原子间的反应有关，这使得我们可以运用原子尺度模拟作为外延生长的理论描述（分子动力学【6】，蒙特卡洛动力模型【7-9】）。但是，原子尺度描述可以达到的空间和时间尺度是有限制的，因此为了研究更大尺度下的应用，可以运用半离散台阶-流动模型【10-15】。在低于粗化温度时，台阶作为长寿命的表面缺陷，是描述表面形貌的基础。原子台阶与相差一个单晶间距的晶格平台上分离，并提供一个空位使新的原子能加入到晶体中来。因此，晶体表面的生长可以简化为：台阶的前进、成核、新封闭台阶环的生长、原子岛和平台合并导致的台阶消失。Burton、Cabrera和Frank【28】首次提出了一个半离散模型来描述薄膜外延生长中原子的扩散和台阶的运动，在这个模型中，生长方向是离散的但是横向连续。BCF模型，经过后来的修正和延伸，已经被用来研究台阶列和岛的稳定性。Bales和Zangwill【10】运用线性稳定性分析，对台阶曲流不稳定下的曲流波长进行了预测。他们的分析表明，台阶曲流的不稳定性会作为平台E-S势垒的结果出现，图1表明了原子更趋向于吸附到一个上升的台阶。最近，在Avignon和Chakraverty【13】、Mullins和Sekerka【14】以及Li等人【15】的基础上，Hu等人【29】对小的圆形岛进行了综合的形貌稳定性分析。在这项工作中，Hu等人证明了生长中岛的自稳定半径的存在，超过这个半径，生长总是稳定的。到达这个半径之前，采用超过临界流量的更大流量会导致不稳定生长。离散结果的详细描述在附录文件中。Hu等人还提出了一个控制岛形状的新方法，那就是将沉积流量和远场流量作为控制参数。但是，在非线性机制下，数学建模和有效的数值算法是必要的，而且还需要判断在非线性机制下形状控制是否可以实现。在本文中，提出了一个新的关于台阶流动的相场模型，台阶流动由E-S势垒、边缘扩散、远场流量、沉积和去吸附导致，这个模型用来研究外延生长中不稳定性。为了能精确和有效的获得沉积流量较大时的动力学，我们提出了一个与Ratz等人【31】和Otto等人【32】使用的不同的自由能函数。相对应的渐近展开分析表明，当界面厚度消失时，相场模型退化为BCF模型。运用相场方法的优势有：可以自动捕获拓扑变化，例如岛的形成、合并和粗化；其他的物理作用，例如成核、弹性作用。在这之前，前线追踪法已经被用来研究岛生长中边缘扩散和E-S势垒的联合影响【33-35】。在相场模拟中【36，37】，边缘扩散通常是被忽略的。只有在【2】中被考虑到，但是没有考虑吸附和分离的过程。在【38】中，运用了水平集方法，法线方向的边缘扩散近似于平均曲率的偏差。但